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公开(公告)号：FR3105577B1
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：FR1914700
申请日：2019-12-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： ROY FRANÇOIS
IPC: H01L27/146 , H01L29/732 , H01L31/18
Abstract: Un capteur d’image destiné à recevoir un éclairement par une face arrière (FAr) d’un substrat semiconducteur opposée à une face avant (FAv) du substrat, comporte au moins un pixel (PX) comprenant une pluralité de régions photosensibles dopées (S1, S2, S3) et superposées verticalement (Z) dans le substrat entre la face arrière (FAr) et la face avant (FAv). Chaque région photosensible (S1, S2, S3) est encadrée latéralement par une grille annulaire verticale (PG1, PG2, PG3) respective. Un circuit de commande (CMD) est configuré pour polariser les grilles annulaires verticales (PG1, PG2, PG3) pendant une phase d’intégration, de façon à générer un potentiel électrostatique (E) comprenant des puits de potentiel (PT1, PT2, PT3) dans la partie centrale du volume de chaque région photosensible (S1, S2, S3) et une barrière de potentiel (BR12, BR23) à chaque interfaces (I12, I23) entre deux régions photosensibles voisines. Figure pour l’abrégé : Fig 1
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公开(公告)号：FR3089086B1
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：FR1871689
申请日：2018-11-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： SULER ANDREJ , ROY FRANÇOIS
Abstract: Dispositif imageur intégré comportant au moins un pixel (PX) comprenant au moins une tranchée s’étendant dans le substrat (SB), ladite au moins une tranchée étant tapissée d’un matériau isolant (1) et comprenant un empilement d’une première région de poly-silicium (P1) et d’au moins une deuxième région de poly-silicium (P2) séparées par une couche dudit matériau isolant (1) Figure pour l’abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号：FR3105577A1
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：FR1914700
申请日：2019-12-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： ROY FRANÇOIS
IPC: H01L27/146 , H01L29/732 , H01L31/18
Abstract: Un capteur d’image destiné à recevoir un éclairement par une face arrière (FAr) d’un substrat semiconducteur opposée à une face avant (FAv) du substrat, comporte au moins un pixel (PX) comprenant une pluralité de régions photosensibles dopées (S1, S2, S3) et superposées verticalement (Z) dans le substrat entre la face arrière (FAr) et la face avant (FAv). Chaque région photosensible (S1, S2, S3) est encadrée latéralement par une grille annulaire verticale (PG1, PG2, PG3) respective. Un circuit de commande (CMD) est configuré pour polariser les grilles annulaires verticales (PG1, PG2, PG3) pendant une phase d’intégration, de façon à générer un potentiel électrostatique (E) comprenant des puits de potentiel (PT1, PT2, PT3) dans la partie centrale du volume de chaque région photosensible (S1, S2, S3) et une barrière de potentiel (BR12, BR23) à chaque interfaces (I12, I23) entre deux régions photosensibles voisines. Figure pour l’abrégé : Fig 1
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公开(公告)号：FR3089086A1
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：FR1871689
申请日：2018-11-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： SULER ANDREJ , ROY FRANÇOIS
Abstract: Dispositif imageur intégré comportant au moins un pixel (PX) comprenant au moins une tranchée s’étendant dans le substrat (SB), ladite au moins une tranchée étant tapissée d’un matériau isolant (1) et comprenant un empilement d’une première région de poly-silicium (P1) et d’au moins une deuxième région de poly-silicium (P2) séparées par une couche dudit matériau isolant (1) Figure pour l’abrégé : Fig. 2
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