公开(公告)号：FR3089086B1

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：FR1871689

申请日：2018-11-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： SULER ANDREJ ,  ROY FRANÇOIS

IPC: H04N5/355 ,  H01L27/00

Abstract: Dispositif imageur intégré comportant au moins un pixel (PX) comprenant au moins une tranchée s’étendant dans le substrat (SB), ladite au moins une tranchée étant tapissée d’un matériau isolant (1) et comprenant un empilement d’une première région de poly-silicium (P1) et d’au moins une deuxième région de poly-silicium (P2) séparées par une couche dudit matériau isolant (1) Figure pour l’abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3098988B1

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：FR1908191

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  SULER ANDREJ

IPC: H01L27/148

Abstract: Capteur d'image La présente description concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels (1) comportant chacun : une région photosensible (105) dopée d'un premier type de conductivité s'étendant verticalement dans un substrat semiconducteur (100) ; une région (110) de collection de charges plus fortement dopée du premier type de conductivité que la région photosensible, s'étendant verticalement dans le substrat à partir d'une face supérieure (106) du substrat et étant disposée au-dessus de la région photosensible ; et un empilement vertical comprenant une grille verticale de transfert (115) et un mur vertical d'isolation électrique (116), l'empilement traversant le substrat et étant au contact de la région de collection de charges, la grille étant disposée du côté de la face supérieure du substrat et pénétrant dans le substrat plus profondément que la région de collection de charges. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3098988A1

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：FR1908191

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  SULER ANDREJ

IPC: H01L27/148

Abstract: Capteur d'image La présente description concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels (1) comportant chacun : une région photosensible (105) dopée d'un premier type de conductivité s'étendant verticalement dans un substrat semiconducteur (100) ; une région (110) de collection de charges plus fortement dopée du premier type de conductivité que la région photosensible, s'étendant verticalement dans le substrat à partir d'une face supérieure (106) du substrat et étant disposée au-dessus de la région photosensible ; et un empilement vertical comprenant une grille verticale de transfert (115) et un mur vertical d'isolation électrique (116), l'empilement traversant le substrat et étant au contact de la région de collection de charges, la grille étant disposée du côté de la face supérieure du substrat et pénétrant dans le substrat plus profondément que la région de collection de charges. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3085231B1

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：FR1857634

申请日：2018-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HULOT STEPHANE ,  SULER ANDREJ ,  VIROLLET NICOLAS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/30

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images à semiconducteur. Chaque pixel du capteur comprend un substrat semiconducteur (10) ayant des faces avant et arrière opposées et délimité latéralement par un premier mur d'isolement (11) comprenant un premier coeur conducteur (12) isolé du substrat, des paires électrons-trous étant susceptibles de se former dans le substrat par suite d'un éclairement par la face arrière. Un circuit est configuré pour maintenir, pendant une première phase dans un premier mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un premier potentiel et pour maintenir, pendant au moins une partie de la première phase dans un deuxième mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un deuxième potentiel différent du premier potentiel.

公开(公告)号：FR3089086A1

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：FR1871689

申请日：2018-11-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： SULER ANDREJ ,  ROY FRANÇOIS

IPC: H04N5/355 ,  H01L27/00

Abstract: Dispositif imageur intégré comportant au moins un pixel (PX) comprenant au moins une tranchée s’étendant dans le substrat (SB), ladite au moins une tranchée étant tapissée d’un matériau isolant (1) et comprenant un empilement d’une première région de poly-silicium (P1) et d’au moins une deuxième région de poly-silicium (P2) séparées par une couche dudit matériau isolant (1) Figure pour l’abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3085231A1

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：FR1857634

申请日：2018-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HULOT STEPHANE ,  SULER ANDREJ ,  VIROLLET NICOLAS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/30

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images à semiconducteur. Chaque pixel du capteur comprend un substrat semiconducteur (10) ayant des faces avant et arrière opposées et délimité latéralement par un premier mur d'isolement (11) comprenant un premier coeur conducteur (12) isolé du substrat, des paires électrons-trous étant susceptibles de se former dans le substrat par suite d'un éclairement par la face arrière. Un circuit est configuré pour maintenir, pendant une première phase dans un premier mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un premier potentiel et pour maintenir, pendant au moins une partie de la première phase dans un deuxième mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un deuxième potentiel différent du premier potentiel.