公开(公告)号：FR3094571B1

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3105581B1

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：FR1914885

申请日：2019-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  LALANNE FREDERIC

Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR3094571A1

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3105581A1

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：FR1914885

申请日：2019-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9