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公开(公告)号：FR3085246A1
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：FR1857618
申请日：2018-08-23
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： MALINGE PIERRE , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: Capteur d'images intégré (DIS) adapté à un mode de commande dit à obturation globale comportant une matrice de pixels dans laquelle chaque pixel (PX) comporte une première partie de circuit (P1) apte à intégrer et stocker à l'abri de la lumière des électrons issus d'une illumination (LX) de la matrice de façon à former un premier signal, une deuxième partie de circuit (P2) apte à intégrer les trous issus de ladite illumination (LX) de façon à former un deuxième signal et apte à stocker le deuxième signal à l'abri de la lumière, et une troisième partie de circuit (P3) apte à lire le premier signal et le deuxième signal, et apte à réaliser des opérations de combinaisons entre le premier signal et le deuxième signal afin de générer un signal combiné, l'ensemble des signaux combinés étant destiné à former une image.
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公开(公告)号：FR3109841B1
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：FR2004324
申请日：2020-04-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： RODRIGUES GONCALVES BORIS , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/146
Abstract: Pixel comprenant une zone de stockage de charges La présente description concerne un pixel (100) comprenant une zone de photoconversion (PD), une électrode verticale isolée (114) et au moins une zone de stockage de charges (mem1, mem2), la zone de photoconversion (PD) appartenant à une première partie d'un substrat semiconducteur et chaque zone de stockage de charges (mem1, mem2) appartenant à une deuxième partie du substrat séparée physiquement de la première partie du substrat par l'électrode (114). Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号：FR3109841A1
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：FR2004324
申请日：2020-04-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： RODRIGUES GONCALVES BORIS , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/146
Abstract: Pixel comprenant une zone de stockage de charges La présente description concerne un pixel (100) comprenant une zone de photoconversion (PD), une électrode verticale isolée (114) et au moins une zone de stockage de charges (mem1, mem2), la zone de photoconversion (PD) appartenant à une première partie d'un substrat semiconducteur et chaque zone de stockage de charges (mem1, mem2) appartenant à une deuxième partie du substrat séparée physiquement de la première partie du substrat par l'électrode (114). Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号：FR3085246B1
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：FR1857618
申请日：2018-08-23
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： MALINGE PIERRE , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: Capteur d'images intégré (DIS) adapté à un mode de commande dit à obturation globale comportant une matrice de pixels dans laquelle chaque pixel (PX) comporte une première partie de circuit (P1) apte à intégrer et stocker à l'abri de la lumière des électrons issus d'une illumination (LX) de la matrice de façon à former un premier signal, une deuxième partie de circuit (P2) apte à intégrer les trous issus de ladite illumination (LX) de façon à former un deuxième signal et apte à stocker le deuxième signal à l'abri de la lumière, et une troisième partie de circuit (P3) apte à lire le premier signal et le deuxième signal, et apte à réaliser des opérations de combinaisons entre le premier signal et le deuxième signal afin de générer un signal combiné, l'ensemble des signaux combinés étant destiné à former une image.
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公开(公告)号：FR3091787A1
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：FR1900323
申请日：2019-01-14
Inventor： GAY LAURENT , LALANNE FREDERIC , HENRION YANN , GUYADER FRANÇOIS , FONTENEAU PASCAL , SEIGNARD AURÉLIEN
IPC: H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: Capteur d'images à éclairement par la face arrière La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice et comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; b) graver, depuis la face arrière, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de ladite région (105c) de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b) ; c) déposer une couche diélectrique de passivation (107) sur la face arrière de la structure ; et d) retirer localement la couche de passivation (107) en vis-à-vis des parois isolantes (105a, 105b). Figure pour l'abrégé : Fig. 10
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3077927A1
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：FR1851203
申请日：2018-02-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： LALANNE FREDERIC , GAY LAURENT , FONTENEAU PASCAL , HENRION YANN , GUYADER FRANCOIS
IPC: H01L27/148
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) ayant une face avant et une face arrière, et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice, le mur d'isolation capacitif comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; et b) graver, depuis la face arrière de ladite structure, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de la région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur, de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b).
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公开(公告)号：FR3105581B1
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：FR1914885
申请日：2019-12-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： TOURNIER ARNAUD , RODRIGUES GONCALVES BORIS , LALANNE FREDERIC
Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9
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公开(公告)号：FR3096855B1
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：FR1905868
申请日：2019-06-03
Inventor： MALINGE PIERRE , LALANNE FREDERIC , SIMONY LAURENT
IPC: H04N5/353 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: Capteur d'image et son procédé de commande La présente description concerne un capteur d'image comprenant des pixels (1) comportant chacun :un premier transistor (118) et un premier interrupteur (120) connectés en série entre un premier noeud (124) d'application d'un potentiel (VD) et un noeud (122) interne du pixel, une grille du premier transistor (118) étant couplée à un noeud (106) de diffusion flottant du pixel ;un élément capacitif (110) dont une première borne est connectée au noeud de diffusion flottant du pixel ; et plusieurs ensembles (A, B) comprenant chacun une capacité (128) connectée en série avec un deuxième interrupteur (130) reliant la capacité au noeud interne (122),le capteur comprenant en outre un circuit (150) configuré pour, lors de chaque mémorisation d'une tension dans un des ensembles (A, B) d'un pixel, commander une augmentation d'une valeur déterminée d'une différence de potentiel entre le noeud de diffusion flottant et le noeud interne du pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3095720A1
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：FR1904587
申请日：2019-04-30
Inventor： RAYNOR JEFF M , LALANNE FREDERIC , MALINGE PIERRE
IPC: H01L27/146
Abstract: Pixels de capteur d’image présentant un pas réduit La présente description concerne un capteur d’image comprenant des premier et second pixels (PIX#1, PIX#2), dans lequel un ou plusieurs transistors (M11, M21, M31) du premier pixel partagent une région active (406) avec un ou plusieurs transistors (M12, M22, M32) du second pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号：FR3105581A1
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：FR1914885
申请日：2019-12-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： TOURNIER ARNAUD , RODRIGUES GONCALVES BORIS , LALANNE FREDERIC
Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9
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