公开(公告)号：FR3122524B1

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：FR2104505

申请日：2021-04-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： MONGE ROFFARELLO PIERPAOLO ,  MICA ISABELLA ,  DUTARTRE DIDIER ,  ABBADIE ALEXANDRA

Abstract: Procédé de fabrication de puces semiconductrices La présente description concerne un procédé de fabrication d'une puce semiconductrice, comportant les étapes suivantes : a) prévoir un substrat (101) en silicium monocristallin dopé ;b) former par épitaxie, sur et en contact avec la face supérieure du substrat (101), une couche (103) en silicium monocristallin dopé ; c) avant ou après l'étape b), et avant toute autre étape de traitement thermique à une température comprise entre 600°C et 900°C, appliquer au substrat un traitement thermique de dénudage, à une température supérieure ou égale à 1000°C pendant plusieurs heures. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3122524A1

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：FR2104505

申请日：2021-04-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： MONGE ROFFARELLO PIERPAOLO ,  MICA ISABELLA ,  DUTARTRE DIDIER ,  ABBADIE ALEXANDRA

IPC: H01L21/334

Abstract: Procédé de fabrication de puces semiconductrices La présente description concerne un procédé de fabrication d'une puce semiconductrice, comportant les étapes suivantes : a) prévoir un substrat (101) en silicium monocristallin dopé ;b) former par épitaxie, sur et en contact avec la face supérieure du substrat (101), une couche (103) en silicium monocristallin dopé ; c) avant ou après l'étape b), et avant toute autre étape de traitement thermique à une température comprise entre 600°C et 900°C, appliquer au substrat un traitement thermique de dénudage, à une température supérieure ou égale à 1000°C pendant plusieurs heures. Figure pour l'abrégé : Fig. 2