公开(公告)号：FR3065314A1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：FR1753345

申请日：2017-04-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： MORIN PIERRE ,  HAOND MICHEL ,  ZULIANI PAOLA

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/02

Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant un élément résistif (28) en forme de L, une première partie de l'élément résistif (28) s'étendant entre une couche de matériau à changement de phase (32) et l'extrémité supérieure d'un via conducteur (21), une seconde partie de l'élément résistif (28) reposant au moins partiellement sur l'extrémité supérieure du via conducteur (21), la partie supérieure du via conducteur (21) étant entourée d'un isolant (46) non susceptible de réagir avec l'élément résistif (28).