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公开(公告)号：FR3007578A1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：FR1355834
申请日：2013-06-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , MATERNE ALEX , VIRMONTOIS CEDRIC
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: L'invention concerne un élément (1) de capteur d'image dont la topographie présente, au centre d'une photodiode (PD), une grille de transfert (G1) de forme annulaire définissant une zone centrale à l'intérieur de laquelle sont intégrés des transistors.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3007579A1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：FR1355835
申请日：2013-06-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , VIRMONTOIS CEDRIC , MATERNE ALEX
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/3745
Abstract: L'invention concerne un élément de capteur d'image comportant au moins quatre régions (11, 12, 13, 14) chacune associée en son centre à une grille de transfert (N1), lesdites grilles de transfert étant interconnectées en un noeud unique.
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公开(公告)号：FR3030884A1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：FR1462964
申请日：2014-12-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN , HUSS EMILIE
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/0352
Abstract: L'invention est relative à un pixel de capteur d'image comprenant une matrice de quatre photosites (14a-14d) ; une paroi d'isolation transversale (40) séparant la matrice en deux rangées de deux photosites ; une paroi d'isolation longitudinale (30,) séparant la matrice en deux colonnes de deux photosites, les deux extrémités de la paroi longitudinale étant en retrait par rapport aux bords de la matrice ; des premier et deuxième noeuds de conversion (18ab, 18cd) agencés dans les espaces laissés entre la paroi longitudinale et les bords de la matrice, chaque nœud de conversion étant commun à deux photosites adjacents ; et une grille de transfert indépendante (20'a, 20,b, 20c, 20d) entre chaque photosite et le nœud de conversion correspondant.
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公开(公告)号：FR3019939A1
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：FR1453318
申请日：2014-04-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN , HUSS EMILIE
IPC: H01L27/28
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication simultanée de premier et second pixels (400, 450) écrantés respectivement d'un premier et d'un second côté, comprenant les étapes consistant à déposer un premier isolant sur une zone active (103) ; déposer un premier niveau de métal (401) et y définir, par un premier masque, un écran (SR, SL) sur le premier côté du premier pixel et sur le second côté du second pixel, et une ligne (DR, DL) opposée à l'écran ; déposer un second isolant et y définir, par un deuxième masque, des ouvertures de vias (413, 415, 417, 419) ; et déposer un second niveau de métal (407) et y définir, par un troisième masque, deux zones de connexion (C1, C2) recouvrant les ouvertures de vias de chaque côté des premier et second pixels, dans lequel chacun des deuxième et troisième masques est identique pour les premier et second pixels.
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公开(公告)号：FR3007578B1
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：FR1355834
申请日：2013-06-20
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , MATERNE ALEX , VIRMONTOIS CEDRIC
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/3745
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公开(公告)号：FR3007579B1
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：FR1355835
申请日：2013-06-20
Inventor： HUSS EMILIE , HERAULT DIDIER , VIRMONTOIS CEDRIC , MATERNE ALEX
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/3745
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