Interface USB
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3113319A1

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:FR2008346

    申请日:2020-08-07

    Abstract: Interface USB La présente description concerne une interface USB (214) comprenant : un transformateur (110) ; un premier interrupteur (112) et un enroulement primaire (1101) connectés entre des premier (106) et deuxième (108) nœuds ; un deuxième interrupteur (114) connecté entre un troisième nœud (122) et une borne (120) recevant une tension de sortie (Vbus) ; un enroulement secondaire (1102) connecté en série avec un composant (116) entre un quatrième nœud (118) recevant un potentiel de référence (GND2) et le troisième noeud (122), le composant évitant une circulation de courant dans l’enroulement secondaire (1102) lorsque le premier interrupteur (112) est fermé ; et un circuit de commande (CTRL) comparant une première tension (VT) d’un nœud d’interconnexion (123) entre l’enroulement secondaire (1102) et le composant (116) à un premier seuil (Vth), et comparant la première tension (VT) à un deuxième seuil (Vth_l) lorsque la première tension (VT) est, en valeur absolue, supérieure au premier seuil (Vth). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Interface USB PD
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3119469A1

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:FR2100894

    申请日:2021-01-29

    Abstract: Interface USB PD La présente description concerne une interface (110') de type USB PD comprenant : un premier noeud (112) recevant un premier potentiel (Vbus), un deuxième noeud (116) fournissant un deuxième potentiel (Vin), et un troisième noeud (114) à un potentiel de référence (GND) ; une résistance (Rshunt) connectée entre un quatrième noeud (201) relié au premier noeud (112), et un cinquième noeud (400) ; un transistor MOS (200) connecté entre le cinquième noeud (400) et le deuxième noeud (116) ; un transistor bipolaire (402) ayant un collecteur connecté à une grille du transistor MOS (200) et un émetteur connecté au quatrième noeud (201) ou au cinquième noeud (400) ; et un circuit (404) configuré pour fournir un potentiel de commande à une base du transistor bipolaire (402) déterminé à partir d'un courant (I) dans la résistance (Rshunt). Figure pour l'abrégé : Fig. 4

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