公开(公告)号：FR3152608A1

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：FR2309122

申请日：2023-08-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： JOISSON MARC ,  BOULEMNAKHER MOUNIR

IPC: G05F1/56

Abstract: Régulateur de tension La présente description concerne un dispositif (REG2) comprenantun premier transistor MOS (P1) connecté entre des premier et deuxième noeuds (102, 350), une source de courant (314) activable sélectivement connectée entre le deuxième noeud (350) et un troisième noeud (108), un circuit (302) commandant le premier transistor (P1) pour réguler une tension du deuxième noeud à une première valeur de consigne (V1), un deuxième transistor MOS (P2) connecté entre le premier noeud (102) et un quatrième noeud (104), et ayant sa grille connectée à celle du premier transistor (P1), un troisième transistor MOS (N1) connecté entre les troisième et quatrième noeuds (108, 104), un interrupteur (IT) connecté entre les deuxième et quatrième noeuds (350, 104), et un autre circuit (310) commandant le troisième transistor (N1) pour réguler une tension (VDD) du quatrième noeud (104) à une deuxième valeur de consigne (V2). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3152688A1

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：FR2309057

申请日：2023-08-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： MONTAUDON FRANCK ,  BOULEMNAKHER MOUNIR ,  GOULIER JULIEN

IPC: H03G3/20 ,  H03F1/34

Abstract: Circuit de démodulation NFC La présente description concerne un circuit d’amplification comprenant un circuit amplificateur (210) comprenant un amplificateur opérationnel (212) et configuré pour amplifier un signal à démoduler et comprenant une boucle de contre-réaction (214) dont une valeur de résistance varie de façon discrète en fonction d’un niveau d’un nœud de sortie (NVAOP) dudit circuit amplificateur (210) par rapport à un ou des seuils (VREFP1, VREFN1, VREFP2, VREFN2) définissant une ou des plages de fonctionnement hors saturation du circuit amplificateur (210). Figure pour l'abrégé : Fig. 4