公开(公告)号：FR3153934A1

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：FR2310687

申请日：2023-10-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： COLPANI PAOLO ,  LIVELLARA LUISITO

Abstract: Transistor HEMT La présente description concerne un transistor HEMT comprenant : - une première couche semiconductrice (13) ; - une grille (15) disposée sur une première surface de la première couche semiconductrice (13) ; - une première couche de passivation (17) comprenant au moins une sous-couche d'un premier matériau diélectrique sur les côtés de la grille, la première couche de passivation s'étendant en outre sur une première partie de ladite surface de la première couche semiconductrice ; et - une deuxième couche de passivation (19), distincte de la première couche de passivation (19), comprenant au moins une sous-couche du même premier matériau diélectrique sur une deuxième partie de ladite surface de la première couche semiconductrice à côté de la première couche de passivation. Figure de l'abrégé : Fig. 1