公开(公告)号：FR3149419A1

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：FR2305439

申请日：2023-05-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  JEANNOT SIMON

IPC: G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00 ,  H10N70/00

Abstract: Dispositif électronique La présente description concerne un dispositif (10) comprenant une cellule mémoire à changement de phase (12), la cellule mémoire comprenant un premier empilement de couches (18), le premier empilement de couches (18) comprenant une couche intermédiaire (22) de matériau à changement de phase, une couche inférieure isolante (20) et une couche supérieure isolante (24), la cellule comprenant des premier (26) et deuxième (28) éléments conducteurs ayant une forme de L, le premier élément (26) s'étendant sur une première paroi latérale du premier empilement, le deuxième élément (28) s'étendant sur une deuxième paroi latérale de l'empilement opposée à la première paroi. Figure pour l'abrégé : Fig. 1