公开(公告)号：FR3152671A1

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：FR2308975

申请日：2023-08-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： GALY PHILIPPE ,  PONTAROLLO SERGE

IPC: H02H1/04 ,  H02H9/04 ,  H03K17/08

Abstract: Circuit de protection contre les décharges électrostatiques La présente description concerne un circuit de protection contre les décharges électrostatiques (210) d'un premier transistor (101) comprenant : - N diodes (D210-1, …, D210-N) en série entre des bornes de conduction dudit premier transistor ; - un deuxième transistor (T213) en série avec un troisième transistor (T211) entre les bornes de conduction dudit premier transistor, et une borne de commande dudit troisième transistor (T211) étant reliée à une anode desdites N diodes (D210-1, …, D210-N) ; - un premier inverseur (INV210) reliant les bornes de commande desdits premier et deuxième transistors ; - un quatrième transistor (T212) en parallèle avec ledit premier transistor, une borne de commande dudit quatrième transistor étant relié au point milieu entre lesdits deuxième et troisième transistors ; et - un condensateur (C211) disposé entre la borne de commande dudit quatrième transistor (T212), et une borne de conduction dudit premier transistor (101). Figure pour l'abrégé : Fig. 2