公开(公告)号：FR3150345A1

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：FR2306637

申请日：2023-06-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： MARZAKI ABDERREZAK ,  VILLARET ALEXANDRE

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/331

Abstract: Circuit intégré comportant un substrat (STI) ayant une face avant (FA), et au moins un élément capacitif (LCAP) comportant, sur une surface au niveau de la face avant (FA), un empilement d’une première armature conductrice (E1) comportant une couche de métal de grille (TIN) située sur une couche de matériau à grande constante diélectrique « grande-κ » (HK), d’une région d’interface diélectrique (HTO1, HVO) sur la première armature conductrice (E1), et d’une deuxième armature conductrice (E2) sur la région diélectrique (HTO1, HVO). Figure pour l’abrégé : Fig 1