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公开(公告)号：FR3115158B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：FR2010400
申请日：2020-10-12
Inventor： GUYADER FRANCOIS , PELLEGRINI SARA , RAE BRUCE
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: Pixel à SPAD La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (20) comprenant un empilement d'un premier niveau (102) comprenant une SPAD, d'un deuxième niveau (104) comprenant un circuit d'extinction adapté à ladite SPAD, et d'un troisième niveau (106) comprenant un circuit de traitement d'informations générées par ladite SPAD, le procédé comprenant : a) la formation du premier niveau (102) ; b) la fixation, sur le premier niveau, par collage moléculaire, d'un empilement de couches comprenant une couche semiconductrice ; et c) la formation du circuit d'extinction du deuxième niveau dans la couche semiconductrice. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号：FR3082659A1
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：FR1870700
申请日：2018-06-14
Inventor： LISART MATHIEU , RAE BRUCE
Abstract: La présente description concerne une puce électronique comprenant des premier et deuxième écrans superposés (109, 106) et un premier détecteur de photons (108) situé entre les premier et deuxième écrans.
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公开(公告)号：FR3114190B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：GB2510891A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：GB201302789
申请日：2013-02-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV
Inventor： MOORE JOHN KEVIN , RAE BRUCE
Abstract: Apparatus comprising an array of photon sensitive devices 1 or 2 such as a single photon avalanche diode array (SPAD), the array configured to provide a plurality of outputs; and a plurality of pulse shaping circuitry 30, each pulse shaping circuitry configured to shape a respective output of the array in a normal mode of operation and a calibration signal in a calibration mode of operation. In one embodiment the pulse shaping circuitry may deliver a signal pulse (SPAD2, Figure 7D) exhibiting pulses having their beginning coinciding with the beginning of the input pulses (SPAD2 figure 7C), but would have a constant duration or constant pulse width. In the calibration mode the calibration signal may be applied to one pulse shaper at a time. A logic arrangement may be coupled to a respective output of each of the pulse shapers and may be in the form of an OR tree 5 or 6. The apparatus may comprise a calibration source 9 configured to output a plurality of calibration signals for the respective pulse shaping circuitry 30 and may output the calibration signals at different times. Two sets of apparatus may also be included (figure 13), the first arrangement comprising a reference array (2, figure 13) and the second arrangement comprises a measuring array (1 figure 13). The circuitry is suitable for integration within an integrated circuit. The invention is particularly applicable to Time-of-flight (TOF) measurement devices.
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公开(公告)号：FR3115158A1
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：FR2010400
申请日：2020-10-12
Inventor： GUYADER FRANCOIS , PELLEGRINI SARA , RAE BRUCE
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: Pixel à SPAD La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (20) comprenant un empilement d'un premier niveau (102) comprenant une SPAD, d'un deuxième niveau (104) comprenant un circuit d'extinction adapté à ladite SPAD, et d'un troisième niveau (106) comprenant un circuit de traitement d'informations générées par ladite SPAD, le procédé comprenant : a) la formation du premier niveau (102) ; b) la fixation, sur le premier niveau, par collage moléculaire, d'un empilement de couches comprenant une couche semiconductrice ; et c) la formation du circuit d'extinction du deuxième niveau dans la couche semiconductrice. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号：FR3114190A1
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3101729A1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：FR1911063
申请日：2019-10-07
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , VIGNETTI MATTEO MARIA , RAE BRUCE
IPC: H01L31/107 , G01J11/00 , H01L27/146
Abstract: Extinction d'une SPAD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : une photodiode (100) dont une première borne est reliée par une résistance (R) à un premier noeud (104) configuré pour recevoir un potentiel haut d'alimentation (VH) et dont une deuxième borne est reliée par un interrupteur (102) à un deuxième noeud (106) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un circuit de lecture (110) configuré pour fournir une impulsion (OUT) lorsque la diode (100) entre en avalanche ; et un circuit de commande (126) configuré pour commander une ouverture de l'interrupteur (102) en réponse au début de ladite impulsion (OUT) et pour commander une fermeture de l'interrupteur en réponse à la fin de ladite impulsion (OUT). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：GB2510890A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：GB201302787
申请日：2013-02-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV
Inventor： RAE BRUCE , MOORE JOHN KEVIN
IPC: H01L31/107 , G01J1/44 , G01S7/486 , G01S17/08 , H03K17/94
Abstract: Apparatus and method of use, comprising at least one photon sensitive device 1,2 preferably one or more Single Photon Avalanche Diode, Single Photon Avalanche Detector, (SPAD), or a SPAD array 1,2, each photon sensitive device (102, figure 1) being provided with a voltage source for biasing the photon sensitive device (-Vbreakdown and/or Vexcess figure 1); and a controller 8 configured to control a bias voltage source 4, configured to cause the bias voltage source to apply at least one calibration bias voltage to the or each photon sensitive device in a calibration mode to determine a voltage to be provided by the voltage source in a normal mode of operation. The bias voltage source may comprise a charge pump. The controller may configure the apparatus to be in the calibration mode at regular intervals, and may apply a first calibration voltage (S2, figure 3) followed by at least one successive calibration voltages where the successive calibration voltage is increased or decreased (S3 figure 3). The first calibration voltage may be selected to be below or above the breakdown voltage for the or each photon sensitive device. A voltage value is then selected to be used in the normal mode (S5 figure 3). A light source may also be activated by the controller during the calibration mode and the apparatus may be shielded from light other than the reference light activated by the controller. The apparatus and method of calibration mitigates against the variations and drift in breakdown voltage of the SPAD diode over a wide range of temperatures.
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