公开(公告)号：FR3000838A1

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：FR1350097

申请日：2013-01-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD ,  DALLE-HOUILLIEZ HELENE

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/8242

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication dans un substrat semi-conducteur (WF, PW) de transistors à grille verticale (ST31, ST32), comprenant les étapes d'implantation dans la profondeur du substrat d'une couche d'isolation dopée (NISO), pour former une région de source des transistors, réaliser dans le substrat des premières tranchées d'isolation (STI) parallèles, et des secondes tranchées (11) perpendiculaires aux premières tranchées, atteignant la couche d'isolation et isolées du substrat par une première couche d'isolation (18), déposer une première couche conductrice (19) sur la surface du substrat et dans les secondes tranchées, graver la première couche conductrice pour former des grilles verticales (SGC) de transistors dans les secondes tranchées, et des plages de connexion (23) de grille verticale entre l'extrémité des secondes tranchées et un bord du substrat, en conservant une zone de continuité (25) dans la première couche conductrice entre chaque plage de connexion et une seconde tranchée, et implanter des régions dopées (n2) de chaque côté des secondes tranchées, pour former des régions de drain des transistors.

公开(公告)号：FR3000838B1

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：FR1350097

申请日：2013-01-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD ,  DALLE-HOUILLIEZ HELENE

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/8242