公开(公告)号：FR3000840A1

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：FR1350070

申请日：2013-01-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  DELATTRE ROGER

IPC: H01L21/60 ,  H01L27/04

Abstract: Le circuit intégré comprend au moins un transistor MOS comportant une région de grille (G) et des régions de source (S) et de drain (D) séparées de la région de grille par des espaceurs isolants (ESP), et au moins deux plots de contact métalliques (CT1) venant respectivement au contact de deux régions (RS10) comportant un siliciure de métal, par exemple un siliciure de cobalt, situées au sein des régions de source et de drain et localisées au niveau des parties inférieures des deux plots de contact (CT1) et à distance desdits espaceurs isolants (ESP).