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公开(公告)号：FR3076394A1
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：FR1850048
申请日：2018-01-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： REGNIER ARNAUD , MORILLON DANN , JULIEN FRANCK , HESSE MARJORIE
IPC: H01L21/8249 , H01L29/94
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS dans lequel des espaceurs (10) sont formés avant la grille (14).
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