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公开(公告)号：FR3034567B1
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：FR1552744
申请日：2015-03-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： RIVERO CHRISTIAN , FORNARA PASCAL , ORELLANA SEBASTIAN
Abstract: De façon à par exemple améliorer le contact ohmique entre deux pièces métalliques (10, 20) situées à un niveau de métallisation (M3), on équipe ces deux pièces de deux vias déportés (101, 201) situés au niveau de métallisation (M3) et au moins partiellement au niveau de vias (V3) immédiatement supérieur. Chaque via déporté comporte par exemple un composé inoxydable ou quasi inoxydable tel qu'une couche barrière en Ti/TiN.
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