公开(公告)号：FR3003962A1

公开(公告)日：2014-10-03

申请号：FR1352894

申请日：2013-03-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOUTON GUILHEM ,  REGNIER PATRICK

IPC: G03F1/70

Abstract: Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie destiné à la formation de plots de contact électriquement conducteurs entre des pistes d'un niveau de métallisation et des zones électriquement actives de circuits intégrés réalisés dans et sur une plaquette semi-conductrice, comprenant une élaboration (10) d'une première région de masque (RM1) comportant des premières zones d'ouvertures (30) destinées à la formation desdits plots de contact et possédant un premier taux d'ouverture inférieur à une valeur seuil, et une élaboration (11) d'une deuxième région de masque (RM2) comportant des zones d'ouvertures supplémentaires, le taux global d'ouverture dudit masque (MQ) étant supérieur ou égal à ladite valeur seuil.

公开(公告)号：FR3003962B1

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：FR1352894

申请日：2013-03-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOUTON GUILHEM ,  REGNIER PATRICK

IPC: G03F1/70

Abstract: Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie destiné à la formation de plots de contact électriquement conducteurs entre des pistes d'un niveau de métallisation et des zones électriquement actives de circuits intégrés réalisés dans et sur une plaquette semi-conductrice, comprenant une élaboration (10) d'une première région de masque (RM1) comportant des premières zones d'ouvertures (30) destinées à la formation desdits plots de contact et possédant un premier taux d'ouverture inférieur à une valeur seuil, et une élaboration (11) d'une deuxième région de masque (RM2) comportant des zones d'ouvertures supplémentaires, le taux global d'ouverture dudit masque (MQ) étant supérieur ou égal à ladite valeur seuil.