公开(公告)号：FR3059145B1

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：FR1661347

申请日：2016-11-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  BOUTON GUILHEM ,  LISART MATHIEU

IPC: H01L21/04 ,  H05K1/02

Abstract: Circuit intégré, comprenant au-dessus d'un substrat semiconducteur (SB) une multitude de plots électriquement conducteurs situés respectivement entre des zones de composants du circuit intégré et un premier niveau de métallisation du circuit intégré et enrobés dans une région isolante (RIS2), ladite multitude de plots comportant des premiers plots (PLT1) en contact électrique avec des premières zones de composant correspondantes (Z1) et au moins un deuxième plot non en contact électrique avec une deuxième zone de composant correspondante (Z2), de façon à former au moins une discontinuité électrique.

公开(公告)号：FR3053156B1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1656020

申请日：2016-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BOUTON GUILHEM

IPC: H01L21/50 ,  G03F7/00 ,  H01L21/70

公开(公告)号：FR3069374A1

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：FR1756937

申请日：2017-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/331

Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant au moins un transistor MOS (T3) réalisé sur et dans une zone active (ZA) comportant une région de source (13), une région de drain (11), la zone active (ZA) étant entourée d'une région isolante (10), le transistor ayant une région de grille (14) comprenant deux flancs (FLA, FLB) s'étendant transversalement à la direction source-drain, chevauchant deux bords opposés (BD1, BD2) de la zone active, et possédant au niveau de chaque zone de chevauchement au moins une languette (17) saillant au pied d'au moins un flanc de la région de grille (14) et recouvrant une partie de la zone active et une partie de la région isolante.

公开(公告)号：FR3059144A1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1661346

申请日：2016-11-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  BOUTON GUILHEM ,  LISART MATHIEU

IPC: H01L21/04 ,  H05K1/02

Abstract: Circuit intégré, comprenant une partie d'interconnexion (PITX) comportant au moins un niveau de vias (V1) situé entre un niveau de métallisation inférieur (M2), recouvert d'une couche d'encapsulation isolante (C1) et d'une couche isolante inter niveaux de métallisation (C2), et un niveau de métallisation supérieur (M2), et au moins une discontinuité électrique (CS3) entre au moins un via (V11) dudit niveau de vias et au moins une piste (P1) dudit niveau de métallisation inférieur, ladite au moins une discontinuité électrique comportant une couche isolante additionnelle (CS3), de composition identique à celle de la couche isolante inter niveaux de métallisation (C2), située entre ledit au moins un via (V11) et ladite au moins une piste (P10) et bordée par ladite couche d'encapsulation (C1).

公开(公告)号：FR3025335A1

公开(公告)日：2016-03-04

申请号：FR1458099

申请日：2014-08-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/70

Abstract: Le circuit intégré comprend dans et/ou sur un substrat plusieurs blocs fonctionnels (CEL) incluant au moins deux blocs fonctionnels identiques respectivement disposés à au moins deux endroits différents du circuit intégré. Il comprend en outre des modules fictifs électriquement inactifs (5) aux voisinages et/ou à l'intérieur desdits blocs fonctionnels et au moins deux modules fictifs différents électriquement inactifs aux voisinages respectifs et/ou à l'intérieur desdits au moins deux blocs fonctionnels identiques.

公开(公告)号：FR3018139A1

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：FR1451616

申请日：2014-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8249

Abstract: Circuit intégré, comprenant un substrat (1) et au moins un composant défavorablement sensible aux contraintes en compression (TRN) disposé au moins partiellement au sein d'une région active (10) du substrat (1) limitée par une région isolante (2). Le circuit comprend au moins une tranchée électriquement inactive (20) située au moins dans ladite région isolante et contenant un domaine interne (203) configuré pour permettre une réduction de contraintes en compression dans ladite région active.

公开(公告)号：FR3003962A1

公开(公告)日：2014-10-03

申请号：FR1352894

申请日：2013-03-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOUTON GUILHEM ,  REGNIER PATRICK

IPC: G03F1/70

Abstract: Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie destiné à la formation de plots de contact électriquement conducteurs entre des pistes d'un niveau de métallisation et des zones électriquement actives de circuits intégrés réalisés dans et sur une plaquette semi-conductrice, comprenant une élaboration (10) d'une première région de masque (RM1) comportant des premières zones d'ouvertures (30) destinées à la formation desdits plots de contact et possédant un premier taux d'ouverture inférieur à une valeur seuil, et une élaboration (11) d'une deuxième région de masque (RM2) comportant des zones d'ouvertures supplémentaires, le taux global d'ouverture dudit masque (MQ) étant supérieur ou égal à ladite valeur seuil.

公开(公告)号：FR2985854B1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：FR1250506

申请日：2012-01-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOUTON GUILHEM ,  BIDAL VIRGINIE

IPC: H01L21/334 ,  G06F17/50

公开(公告)号：FR3018139B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：FR1451616

申请日：2014-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8249

Abstract: Circuit intégré, comprenant un substrat (1) et au moins un composant défavorablement sensible aux contraintes en compression (TRN) disposé au moins partiellement au sein d'une région active (10) du substrat (1) limitée par une région isolante (2). Le circuit comprend au moins une tranchée électriquement inactive (20) située au moins dans ladite région isolante et contenant un domaine interne (203) configuré pour permettre une réduction de contraintes en compression dans ladite région active.

公开(公告)号：FR3007198B1

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：FR1355476

申请日：2013-06-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78