公开(公告)号：EP1507286A2

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：EP04103813.4

申请日：2004-08-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CORONEL, Philippe ,  LAPLANCHE, Yves ,  PAIN, Laurent

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/7682 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78654

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une zone de vide sous une couche d'un matériau donné comprenant les étapes suivantes : former sur un substrat un empilement d'une couche photosensible et d'une couche du matériau donné ; insoler une portion de la couche photosensible ou son complément selon que la couche photosensible est positive ou négative par un faisceau d'électrons passant à travers la couche du matériau donné ; et éliminer ladite portion de la couche photosensible.

Abstract translation: 空区的下一层的形成给定的非感光材料的besteht：（a）形成一个光敏层和一个上基片的给定材料层的叠层; （B）绝缘感光层或它的互补物根据是否在感光层是通过穿过给定的材料层的电子束的正或负的一部分; （C）没有消除在感光层的部分。 因此，该方法可用于互连的网络的形成和形成的晶体管的与周围的网格。

公开(公告)号：EP1503411A1

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：EP04103661.7

申请日：2004-07-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： SCHOELLKOPF, Jean-Pierre ,  CERUTTI, Robin ,  CORONEL, Philippe ,  SKOTNICKI, Thomas

IPC: H01L21/765 ,  H01L21/762 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur dans lequel des zones actives entourent ou sont entourées par des évidements remplis d'isolant, et dans lequel une région conductrice est noyée dans l'isolant d'au moins un évidement, la région conductrice étant connectée à une tension de référence et étant connectée à au moins un élément voisin du circuit.

Abstract translation: 该电路具有半导体衬底（101），该半导体衬底（101）具有由填充有绝缘材料的凹部（125,126）围绕或围绕的有源区（104）。 导电区域（140,141）在相应凹槽的绝缘材料中居中，并且连接到互连网络的电源或接地导线，以及最接近的部件。 电路的晶体管的源/漏区（132）。 还包括用于制造集成电路基板中敷设的导线的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1863174A1

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：EP07109138.3

申请日：2007-05-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  STMicroeletronics Crolles 2 SAS

Inventor： MARTY, Michel ,  GIRAUDIN, Jean-Christophe ,  CORONEL, Philippe

IPC: H03H9/05

CPC classification number: H03H9/0547

Abstract: L'invention concerne un assemblage monolithique de composants électroniques comprenant un substrat semiconducteur (1), à un premier niveau au-dessus du substrat, au moins un résonateur à ondes acoustiques de volume (2-5), à un deuxième niveau au-dessus du résonateur, une couche semiconductrice mono-cristalline (23) dans laquelle sont formés des composants semiconducteurs, et des évidements (12, 13) sous les parties de la couche semiconductrice disposées au-dessus des résonateurs.

Abstract translation: 组件具有其中形成半导体部件的单晶硅层（23）。 两个开口（12,13）设置在层的部分下方，并且布置在半导体衬底（1）上方的体声波谐振器的上方。 谐振器被布置在形成布拉格反射镜的一组层上方，并且该单晶硅层形成在高于前一级的另一层。 还包括用于组装电子部件的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1507286A3

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：EP04103813.4

申请日：2004-08-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CORONEL, Philippe ,  LAPLANCHE, Yves ,  PAIN, Laurent

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/7682 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78654

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une zone de vide sous une couche d'un matériau donné comprenant les étapes suivantes : former sur un substrat un empilement d'une couche photosensible et d'une couche du matériau donné ; insoler une portion de la couche photosensible ou son complément selon que la couche photosensible est positive ou négative par un faisceau d'électrons passant à travers la couche du matériau donné ; et éliminer ladite portion de la couche photosensible.