公开(公告)号：EP1653619A1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：EP05110042.8

申请日：2005-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Fichera, Pietro

IPC: H03K17/082

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H03K17/122

Abstract: L'invention concerne un procédé et un circuit de protection d'un transistor (M1, Mn) de commande en alimentation d'une charge (Q) au moins partiellement inductive, consistant à faire baisser la tension de démagnétisation de la charge inductive par rapport à une tension de démagnétisation fixée par un composant à retournement (DZ1, DZn) connecté entre une borne de conduction et la borne de commande du transistor.

Abstract translation: 这些电路具有连接在电源电压施加端子（1）和连接到负载导通端子的端子（2）之间的功率MOS晶体管（M1-Mn）。 电阻器（R1-Rn）分别放置在齐纳二极管（DZ1-DZn）和二极管（D1-Dn）的阳极之间。 二极管的阳极通过允许电流偏移的可控电流源（10）连接到端子（2）。 还包括以下独立权利要求：（A）用于通过与保护电路（B）相关联的晶体管提供负载的负载供给电路，保护晶体管的方法。