公开(公告)号：EP1494273A1

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：EP04300411.8

申请日：2004-06-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： LENOBLE, Damien

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/3211

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, par oxydation thermique, d'une couche d'oxyde de silicium sur un circuit intégré comportant des motifs tridimensionnels en silicium, comportant les étapes suivantes :

implanter un premier élément selon un premier angle par rapport à l'horizontale, le premier élément étant neutre électriquement et ayant un premier effet sur la vitesse de croissance d'un oxyde thermique sur du silicium ;
implanter un second élément selon un second angle par rapport à l'horizontale, le second élément étant neutre électriquement et ayant un second effet complémentaire du premier effet sur la vitesse de croissance d'un oxyde thermique sur du silicium, le second angle étant distinct du premier angle, et l'un des premier et second angles étant un angle droit ; et
procéder à une oxydation thermique du silicium.

Abstract translation: 在包含硅的一些三维图案的集成电路上通过热氧化氧化硅的形成由以下部分组成：（a）相对于水平面沿着第一角度植入第一元件，该第一元件是电中性的 并且对硅上的热氧化物的生长速度具有第一效应; （b）相对于水平面沿着第二角度植入第二元件，该第二元件是电中性的，并且对硅上的热氧化物的生长速度具有第二互补作用，第二角度与第一元件不同于第一元件 角度和这些角度之一是直角; （c）进行硅的热氧化。 还包括用于在具有第一类导电性的硅衬底中形成金属上硅（MOS）晶体管的独立权利要求。