公开(公告)号：EP1496549B1

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：EP04103289.7

申请日：2004-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： MORAND, Jean-Luc ,  COLLARD, Emmanuel ,  LHORTE, André

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L27/08 ,  H01L27/07

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L27/0788 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/872

公开(公告)号：EP1496549A1

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：EP04103289.7

申请日：2004-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： MORAND, Jean-Luc ,  COLLARD, Emmanuel ,  LHORTE, André

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L27/08 ,  H01L27/07

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L27/0788 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne une diode de puissance verticale, de redressement et de protection, formée dans une couche semiconductrice (32) faiblement dopée d'un premier type de conductivité, reposant sur un substrat (31) fortement dopé du premier type de conductivité, comprenant une première région annulaire (35), du premier type de conductivité plus fortement dopée que ladite couche et plus faiblement que ledit substrat, entourant une zone (A) de ladite couche et s'étendant jusqu'au substrat ; et une deuxième région annulaire (39), dopée du second type de conductivité (P), s'étendant à la surface de la première région et de part et d'autre de celle-ci ; une première électrode comportant une couche mince (44) d'un matériau propre à former une jonction Schottky avec ladite couche, reposant sur ladite zone de ladite couche et sur au moins une portion de la deuxième région annulaire avec laquelle elle forme un contact ohmique.

Abstract translation: 二极管形成在弱掺杂的半导体层（32）中，并且放置在强掺杂的衬底（31）上。 衬底具有比衬底更强掺杂的环状区域（35），并且比衬底弱掺杂的环形区域（35）。 另一个环形区域（39）延伸到区域（35）的表面。 具有薄层的电极与该层形成肖特基结，并位于该区域（39）的一部分上。 对于在单晶硅的衬底上形成功率二极管的工艺也包括独立权利要求。