公开(公告)号：EP1832353A3

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：EP07103722.0

申请日：2007-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Martin, Christophe

IPC: B08B7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/82 ,  B08B7/0071

Abstract: L'invention concerne un procédé et un équipement de nettoyage de masques (10) utilisés pour des étapes de photolithographie, comportant au moins une étape (23, 24) de traitement thermique sous pompage à une pression inférieure à la pression atmosphérique et à une température supérieure à la température ambiante.

公开(公告)号：EP1832353A2

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：EP07103722.0

申请日：2007-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Martin, Christophe

IPC: B08B7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/82 ,  B08B7/0071

Abstract: L'invention concerne un procédé et un équipement de nettoyage de masques (10) utilisés pour des étapes de photolithographie, comportant au moins une étape (23, 24) de traitement thermique sous pompage à une pression inférieure à la pression atmosphérique et à une température supérieure à la température ambiante.

Abstract translation: 该方法包括在低于大气压和高于环境温度（Tamb）的温度下进行光刻掩模（10）的热处理，以获得积聚在掩模表面上的盐的蒸发。 热处理在电子工业的洁净室中进行，并且通过被清洁表面上的聚焦辐射获得。 光刻掩模清洁装置还包括独立权利要求。