公开(公告)号：EP1675184A1

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：EP05112805.6

申请日：2005-12-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Lanois, Frédéric ,  Nizou, Sylvain

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky à barrière verticale s'étendant perpendiculairement à la surface d'une puce semiconductrice comprenant un conducteur métallique central (31) vertical en contact d'une part avec le substrat (33) de la puce semiconductrice avec interposition d'une interface formant barrière Schottky (39), d'autre part avec des doigts conducteurs (36) s'étendant radialement.

Abstract translation: 二极管具有布置在阳极电极（31）和衬底（33）之间的界面处的硅化镍（39），用于形成肖特基势垒。 导电指状物（36）从阳极电极径向延伸并被绝缘层包围。 上部金属化接触阳极电极，下部金属化接触阴极电极。

公开(公告)号：EP1675184B1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：EP05112805.6

申请日：2005-12-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Lanois, Frédéric ,  Nizou, Sylvain

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/872