公开(公告)号：EP1677364A1

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：EP05113047.4

申请日：2005-12-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Thomas, Danielle ,  Rivoire, Maurice

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/09 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/022408

Abstract: L'invention concerne un capteur de lumière situé au-dessus d'un circuit intégré comportant une électrode inférieure (21), une couche de silicium amorphe fortement dopé (23) d'un premier type de conductivité, et une couche de silicium amorphe faiblement dopé (22) d'un second type de conductivité. La couche de silicium amorphe faiblement dopée (22) repose sur une surface plane au moins au-dessus et au voisinage de l'électrode inférieure.

Abstract translation: 传感器具有相对于下电极（21）重叠的轻掺杂的非晶硅层（22）。 电极由具有与电极厚度相同的厚度的绝缘层（25）包围。 电极宽度约为1.5μm。 上部铟锡氧化物电极与与层（22）相同导电类型的重掺杂非晶硅层（23）电接触。 还包括以下独立权利要求：（A）包括具有光电二极管的图像传感器的通信对象; 和（B）形成位于集成电路上方的光传感器的方法。