公开(公告)号：FR2989514A1

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：FR1253333

申请日：2012-04-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHANTRE ALAIN ,  CHEVALIER PASCAL ,  AVENIER GREGORY

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire, comprenant les étapes suivantes : former une première région dopée (48) en surface d'un substrat semiconducteur (42) sur lequel s'étend une couche semiconductrice avec interposition d'une première couche isolante (44) ; former, en surface du dispositif, un empilement d'une couche de silicium et d'une deuxième couche isolante (52, 54) ; définir une tranchée traversant l'empilement (52, 54) et la couche semiconductrice en regard de la première région dopée (48), puis une ouverture dans la région découverte de la première couche isolante (44) ; former une région de silicium monocristallin (66) dans l'ouverture ; former une région de silicium-germanium (70) en surface de la région de silicium monocristallin, au contact des régions restantes de la couche semiconductrice et de la couche de silicium ; et former une deuxième région dopée (74) au moins dans l'espace restant de la tranchée.

公开(公告)号：FR2881273A1

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：FR0500674

申请日：2005-01-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  AVENIER GREGORY

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: L'invention concerne un substrat semi-conducteur de circuit intégré comprenant une couche active de silicium (10) séparée d'une couche substrat de silicium (20) par une couche de matériau isolant enterrée (30), caractérisé en ce que ladite couche active de silicium comprend localement au moins une surépaisseur du côté de ladite couche enterrée (30), de sorte que ledit substrat semi-conducteur comprend un état de surface plan.

公开(公告)号：FR2881273B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：FR0500674

申请日：2005-01-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  AVENIER GREGORY

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84