公开(公告)号：FR3056331B1

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：FR1658771

申请日：2016-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONROY AGUIRRE AGUSTIN ,  BERTRAND GUILLAUME ,  CATHELIN PHILIPPE ,  PAULIN RAPHAEL

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/762

公开(公告)号：FR3056331A1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：FR1658771

申请日：2016-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONROY AGUIRRE AGUSTIN ,  BERTRAND GUILLAUME ,  CATHELIN PHILIPPE ,  PAULIN RAPHAEL

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/762

Abstract: Le dispositif électronique intégré comporte un substrat de type silicium sur isolant, au moins un transistor (TR) réalisé dans et sur le film semi-conducteur (1) du substrat et comportant une région de drain (D) et une région de source (S) d'un premier type de conductivité, une région de substrat (5) d'un deuxième type de conductivité située sous une région de grille, et des zones de prise de contact sur les régions de source (S), de grille (G) et de drain (D). Le transistor (TR) comprend en outre une région d'extension (6) prolongeant latéralement la région de substrat au delà des régions de source (S) et de drain (D) en revenant border à contact la région de source (S) par une région de bordure (61) ayant le premier type de conductivité, de façon à connecter électriquement la région de source et la région de substrat.