公开(公告)号：FR2999799A1

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：FR1262321

申请日：2012-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHEVALIER PASCAL ,  CELI DIDIER ,  BLANC JEAN-PIERRE ,  CHANTRE ALAIN

IPC: H01L21/331 ,  H01L27/06 ,  H01L29/737

Abstract: L'invention concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : exposer la surface d'un substrat de silicium (202) dans une première région (326) entre des première et deuxième tranchées d'isolation (204, 208) ; graver le substrat de silicium dans la première région pour former un évidement entre les première et deuxième tranchées d'isolation ; et former dans l'évidement une base (216) d'un transistor bipolaire à hétérojonction par croissance épitaxiale sélective d'un film comprenant du SiGe.