-
1.发明专利
公开(公告)号：FR3082052A1
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：FR1854829
申请日：2018-06-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GALY PHILIPPE , LETHIECQ RENAN
IPC: H01L29/772 , H01L21/76 , H01L29/66
Abstract: Dispositif électronique intégré, comprenant un substrat de type silicium sur isolant et au moins un transistor MOS (TR) réalisé dans et sur ledit substrat, et comprenant une région de grille (G) configurée pour recevoir une tension de commande, une grille arrière (BG) configurée pour recevoir une tension d'ajustement, et dans lequel la région source (S) comporte une première borne (B1) destinée à être reliée à une tension de référence et une deuxième borne (B2) réalisées de part et d'autre d'une portion résistive (Rs) de la région de source (S), la première borne (B1) étant configurée pour délivrer une tension dont la valeur est représentative de la température du dispositif (DIS), le dispositif (DIS) comportant des moyens d'ajustement (MA) configurés pour délivrer sur la grille arrière (BG), une tension d'ajustement dont la valeur dépend de la valeur de la tension de commande et de la valeur de la tension délivrée par la première borne (B1).
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3087290A1
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：FR1859560
申请日：2018-10-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GALY PHILIPPE , LETHIECQ RENAN
Abstract: La présente description concerne un transistor MOS (10) dans lequel la résistivité de la région de source et/ou de drain (12) est apte à être augmentée de façon irréversible par application d'un courant électrique entre deux contacts (12C-A, 12C-B) de ladite région (12).
-
公开(公告)号：FR3086405A1
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：FR1858656
申请日：2018-09-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： LETHIECQ RENAN , GALY PHILIPPE
Abstract: Le dispositif électronique comprend un module (3) ayant une borne de sortie (BS), configuré pour délivrer sur ladite borne de sortie (BS) une tension de sortie (Vout) à coefficient de température positif, et comportant un thermistor (4) ayant un premier transistor MOS (T1) configuré pour fonctionner en mode faible inversion et avoir une résistance drain-source à coefficient de température négatif et dont la source (S1) est couplée à ladite borne de sortie (BS), et une source de courant (5) couplée à la borne de sortie (BS) et configurée pour imposer le courant drain-source (Idsl) du premier transistor (T1).
-
公开(公告)号：FR3086405B1
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：FR1858656
申请日：2018-09-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： LETHIECQ RENAN , GALY PHILIPPE
Abstract: Le dispositif électronique comprend un module (3) ayant une borne de sortie (BS), configuré pour délivrer sur ladite borne de sortie (BS) une tension de sortie (Vout) à coefficient de température positif, et comportant un thermistor (4) ayant un premier transistor MOS (T1) configuré pour fonctionner en mode faible inversion et avoir une résistance drain-source à coefficient de température négatif et dont la source (S1) est couplée à ladite borne de sortie (BS), et une source de courant (5) couplée à la borne de sortie (BS) et configurée pour imposer le courant drain-source (Idsl) du premier transistor (T1).
-
公开(公告)号：FR3087290B1
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：FR1859560
申请日：2018-10-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GALY PHILIPPE , LETHIECQ RENAN
Abstract: La présente description concerne un transistor MOS (10) dans lequel la résistivité de la région de source et/ou de drain (12) est apte à être augmentée de façon irréversible par application d'un courant électrique entre deux contacts (12C-A, 12C-B) de ladite région (12).
-
6.发明专利
公开(公告)号：FR3082052B1
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：FR1854829
申请日：2018-06-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GALY PHILIPPE , LETHIECQ RENAN
IPC: H01L29/772 , H01L21/76 , H01L29/66
Abstract: Dispositif électronique intégré, comprenant un substrat de type silicium sur isolant et au moins un transistor MOS (TR) réalisé dans et sur ledit substrat, et comprenant une région de grille (G) configurée pour recevoir une tension de commande, une grille arrière (BG) configurée pour recevoir une tension d'ajustement, et dans lequel la région source (S) comporte une première borne (B1) destinée à être reliée à une tension de référence et une deuxième borne (B2) réalisées de part et d'autre d'une portion résistive (Rs) de la région de source (S), la première borne (B1) étant configurée pour délivrer une tension dont la valeur est représentative de la température du dispositif (DIS), le dispositif (DIS) comportant des moyens d'ajustement (MA) configurés pour délivrer sur la grille arrière (BG), une tension d'ajustement dont la valeur dépend de la valeur de la tension de commande et de la valeur de la tension délivrée par la première borne (B1).
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.021 seconds)
