公开(公告)号：FR3016999A1

公开(公告)日：2015-07-31

申请号：FR1450724

申请日：2014-01-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JIMENEZ JEAN ,  HEITZ BORIS ,  BOURGEAT JOHAN ,  MONROY-AGUIRRE AGUSTIN

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/60 ,  H02H9/04

Abstract: Dispositif électronique, comprenant un thyristor (TH) possédant une anode (3), une cathode (4), un premier transistor bipolaire (TBP1) situé côté anode, un deuxième transistor bipolaire (TBP2) situé côté cathode, ces deux transistors bipolaires étant imbriqués et connectés entre l'anode et la cathode, un transistor MOS (TM) couplé entre la région de collecteur et la région d'émetteur du deuxième transistor bipolaire (TBP2), possédant une région de grille (GR) connectée à la cathode (4) par l'intermédiaire d'une région semiconductrice résistive (R2) incorporant au moins une partie de la région de base (B2) du deuxième transistor bipolaire (TBP2).