公开(公告)号：FR2968128B1

公开(公告)日：2013-01-04

申请号：FR1059777

申请日：2010-11-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS INC

Inventor： SENGUPTA RWIK ,  GUPTA ROHIT KUMAR ,  GOYAL MITESH ,  MENUT OLIVIER

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/535 ,  H01L29/72

公开(公告)号：FR2968128A1

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：FR1059777

申请日：2010-11-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS INC

Inventor： SENGUPTA RWIK ,  GUPTA ROHIT KUMAR ,  GOYAL MITESH ,  MENUT OLIVIER

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/535 ,  H01L29/72

Abstract: La cellule précaractérisée comprend plusieurs lignes électriquement conductrices parallèles (LGi) s'étendant au dessus des première et deuxième régions (RG1, RG2) contenant des zones semiconductrices, et des contacts de lignes électriquement conducteurs (ZCi) électriquement couplés auxdites lignes ; la cellule (CEL) est réalisée dans une technologie CMOS inférieure à 28 nanomètres et les contacts de lignes (ZCi) comprennent un premier groupe d'au moins un premier contact de ligne (ZC1, ZC3) disposé entre la première région (RG1) et l'extrémité correspondante (BS1) de la cellule et un deuxième groupe d'au moins un deuxième contact de ligne (ZC2, ZC4) disposé entre la première région (RG1) et la deuxième région (RG2), deux lignes adjacentes (LG1, LG2) étant respectivement couplées à un premier contact de ligne (ZC1) et à un deuxième contact de ligne (ZC2).