公开(公告)号：JP2007258715A

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：JP2007070062

申请日：2007-03-19

Applicant: St Microelectronics Sa ,  Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス エスエー ,  エスティマイクロエレクトロニクス(クロル 2)エスエーエスSTMicroelectronics (Crolles 2)SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  DUTARTRE DIDIER ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78684 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a transistor with a germanium-rich channel and fully-depleted type architecture that can be easily manufactured on an arbitrary substrate and that can easily control the formation of the channel.
SOLUTION: The manufacturing method for a MOS transistor comprises (a) a step to form a half-conductive interlayer 6 containing alloy of silicon and germanium on a substrate 2, (b) step to manufacture the source region, drain region and insulating gate regions 11, 12 and 9 of the transistor on the interlayer 6, and (c) step to oxidize the interlayer 6 starting with the bottom surface of the interlayer 6 to raise the concentration of germanium within the channel of the transistor.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有富锗的通道和全耗尽型结构的晶体管的制造方法，其可以容易地在任意的衬底上制造并且可以容易地控制通道的形成。 解决方案：MOS晶体管的制造方法包括（a）在衬底2上形成含有硅和锗的合金的半导体中间层6的步骤，（b）制造源极区，漏极区和 在中间层6上的晶体管的绝缘栅极区域11,12和9，以及（c）从中间层6的底面开始氧化中间层6的步骤，以提高锗在晶体管的沟道内的浓度。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015061076A

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：JP2014188882

申请日：2014-09-17

Applicant: コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ ,  Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives ,  コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ ,  エス テ マイクロエレクトロニクス エス アー ,  St Microelectronics Sa ,  エス テ マイクロエレクトロニクス エス アー ,  エス テ マイクロエレクトロニクス クロル 2 エス アー エス ,  Stmicroelectronics Crolles 2 Sas ,  エス テ マイクロエレクトロニクス クロル 2 エス アー エス

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SANDRINE LHOSTIS ,  CHRISTOPHE MAITRE ,  OLGA KOKSHAGINA ,  PHILIPPE CORONEL

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H05K1/0203 ,  F28D9/0062 ,  F28F27/02 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】局所的に冷却能力を向上させることができる冷却装置を提供する。【解決手段】集積回路チップを冷却する冷却装置は、第1基板201と、熱膨張率の異なる物質からなる層205及び207の積層体を介して、前記第1基板201に積層された第2基板203と、前記第1基板201に形成された複数の溝209が互いに接続されてなる第1ネットワーク、及び前記第2基板203に形成された複数の溝211が互いに接続されてなる第2ネットワークを有するマイクロパイプネットワークと、2層構造の弁体221を有するバルブ218とを備え、前記マイクロパイプネットワークの一部は、前記バルブ218を介して接続先に接続されている。【選択図】図2D

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够局部地提高其冷却性能的冷却装置。解决方案：用于冷却集成电路芯片的冷却装置包括：第一基板201; 通过由具有不同热膨胀系数的材料构成的层205和207堆叠在第一基板201上的第二基板203; 具有第一网络的微管网络，其中形成在第一基板201中的多个槽209彼此连接，第二网络中形成有第二基板203中的多个槽211彼此连接; 以及具有两层结构的阀元件221的阀门218。 微管网络的一部分通过阀218连接到连接目的地。

公开(公告)号：FR3018389B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：FR1451833

申请日：2014-03-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： TRIOUX EMILIE ,  ANCEY PASCAL ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  BASROUR SKANDAR ,  MURALT PAUL

IPC: H01L21/203 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/27

公开(公告)号：FR3010830B1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1358934

申请日：2013-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  LHOSTIS SANDRINE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L23/473

公开(公告)号：FR3045146A1

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：FR1562409

申请日：2015-12-15

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: G01D5/14

Abstract: Le détecteur d'au moins un évènement comprend un générateur d'énergie électrique (2) comportant un élément piézoélectrique (21) flexible et une masse (23) fixée sur l'élément (21) ; un déclencheur (3) comportant une première configuration dans laquelle le déclencheur (3) est configuré pour maintenir la masse (23) dans une position initiale avec l'élément piézoélectrique (21) fléchi et une deuxième configuration dans laquelle le déclencheur (3), en réponse audit évènement, est configuré pour libérer la masse (23) de façon à provoquer une vibration de l'élément piézoélectrique (21) et permettre une génération de l'énergie électrique (EE) ; et un système électronique (4) couplé au générateur (2) et configuré pour convertir l'énergie électrique (EE) délivré par le générateur (2) en au moins un signal électrique (SE).

公开(公告)号：FR3042925A1

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：FR1560185

申请日：2015-10-26

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： ARNAUD ARTHUR ,  BOUGHALEB JIHANE ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H02N2/18 ,  G12B1/02

Abstract: Le système de conversion d'énergie thermique en énergie électrique (SYS), comprend un châssis (1), au moins un élément sensible à la température (3) maintenu dans le châssis (1) par deux de ses extrémités (31, 32) entre une source chaude (TC) et une source froide (TF), au moins un élément piézoélectrique (5) disposé entre au moins une partie du châssis (1) et au moins une première desdites deux extrémités (31, 32) dudit au moins un élément sensible à la température (3), ledit au moins un élément sensible à la température (3) étant configuré pour se déformer cycliquement entre deux états sous l'action du gradient thermique entre la source chaude (TC) et la source froide (TF) tout en exerçant une contrainte lors de sa déformation cyclique sur ledit au moins un élément piézoélectrique (5) par l'intermédiaire de ladite au moins une première extrémité.

公开(公告)号：FR3032845B1

公开(公告)日：2017-03-10

申请号：FR1551192

申请日：2015-02-13

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  SOCPRA SCIENCES ET GENIE SEC

Inventor： MIRSHEKARI GHOLAMREZA ,  LEVEILLE ETIENNE ,  FRECHETTE LUC G ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H02N2/18

公开(公告)号：FR3029355A1

公开(公告)日：2016-06-03

申请号：FR1461760

申请日：2014-12-02

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： DUBOIS EMMANUEL ,  ROBILLARD JEAN-FRANCOIS ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00

Abstract: Générateur thermoélectrique, comprenant une membrane semiconductrice (2) à structure phononique contenant au moins une jonction P-N (3, 4) suspendue entre un premier support (5) destiné à être couplé à une source thermique froide et un deuxième support (6) destiné à être couplé à une source thermique chaude et une architecture permettant de redistribuer le flux thermique dans le plan de ladite membrane.

公开(公告)号：FR3036847A1

公开(公告)日：2016-12-02

申请号：FR1554755

申请日：2015-05-27

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

Abstract: Circuit intégré (IC), comprenant un substrat (S), une région isolante (STI) délimitant au moins une zone du substrat (ZS), et au moins un transistor (T) comportant une région semiconductrice concave (RSC) supportée par la région isolante (STI) selon une première direction (D1), tournant sa concavité vers ladite au moins une zone (ZS) et contenant des régions de drain (RSD), de source (RSS) et de canal, une région de grille (G) possédant une partie concave chevauchant une partie de la région semiconductrice concave (RSC), et une région diélectrique (RD) située entre ladite zone de substrat (ZS) et ladite région semiconductrice concave (RSC).

公开(公告)号：FR3042925B1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：FR1560185

申请日：2015-10-26

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： ARNAUD ARTHUR ,  BOUGHALEB JIHANE ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H02N2/18 ,  G12B1/02