公开(公告)号：IT201800007920A1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：IT201800007920

申请日：2018-08-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  BADALA' PAOLO

IPC: H01L20060101

公开(公告)号：IT201800011065A1

公开(公告)日：2020-06-13

申请号：IT201800011065

申请日：2018-12-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  TRINGALI CRISTINA

IPC: H01L20060101

公开(公告)号：ITUB20155503A1

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：ITUB20155503

申请日：2015-11-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  SEVERINO ANDREA ,  NICOTRA MARIA CONCETTA ,  PATTI ALFONSO

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

公开(公告)号：IT201900023475A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：IT201900023475

申请日：2019-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO

IPC: H01L20060101

公开(公告)号：IT201700064147A1

公开(公告)日：2018-12-09

申请号：IT201700064147

申请日：2017-06-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  CONSIGLIO NAZIONALE RICERCHE

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  GRECO GIUSEPPE ,  ROCCAFORTE FABRIZIO

IPC: H01L29/778

公开(公告)号：IT201800001693A1

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：IT201800001693

申请日：2018-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO

IPC: H01L20060101

公开(公告)号：DE102016109338A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102016109338

申请日：2016-05-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  PATTI ALFONSO

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine normalerweise ausgeschaltete elektronische Vorrichtung weist Folgendes auf: einen Halbleiterkörper (15) mit einer Heterostruktur (7), die sich über einer Pufferschicht (11) erstreckt; eine vertiefte Gate-Elektrode (14), die sich in einer zu der Ebene (XY) orthogonalen Richtung (Z) erstreckt; eine erste Arbeitselektrode (16) und eine zweite Arbeitselektrode (18) auf jeweiligen Seiten von der Gate Elektrode (14); und einen aktiven Bereich (15a), in dem im eingeschalteten Zustand ein Leitungweg für einen Fluss von elektrischem Strom zwischen der ersten und der zweiten Arbeitselektrode untergebracht ist. Ein Widerstandsbereich (6) erstreckt sich zumindest teilweise in dem aktiven Bereich, der sich in der Pufferschicht befindet, und ist dazu ausgebildet, den Stromfluss zwischen der ersten und der zweiten Arbeitselektrode zu unterbinden, wenn sich die Vorrichtung im ausgeschalteten Zustand befindet. Die Gate-Elektrode (14) erstreckt sich in dem Halbleiterkörper (15) auf eine Tiefe, die zumindest gleich der von dem Widerstandsbereich erreichten maximalen Tiefe ist.

公开(公告)号：DE102016109659A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE102016109659

申请日：2016-05-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  PATTI ALFONSO ,  CHINI ALESSANDRO

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: HEMT-Transistor des normalerweise ausgeschalteten Typs, der Folgendes aufweist: eine Halbleiter-Heterostruktur (4, 6, 200), die mindestens eine erste Schicht (4) und eine zweite Schicht (6) aufweist, wobei die zweite Schicht oben auf der ersten Schicht angeordnet ist; einen Graben (15), der sich durch die zweite Schicht und einen Bereich der ersten Schicht hindurch erstreckt; einen Gatebereich (10) aus leitfähigem Material, der sich in den Graben erstreckt; und einen dielektrischen Bereich (18), der sich in den Graben erstreckt, den Gatebereich bedeckt und mit der Halbleiter-Heterostruktur in Kontakt steht. Ein Teil des Grabens ist lateral durch eine laterale Struktur (LS) begrenzt, die mindestens eine erste Stufe (Pb1, P11, Pb2) bildet. Die Halbleiter-Heterostruktur bildet eine erste Kante (E1) und eine zweite Kante (E2) der ersten Stufe, wobei die erste Kante von der ersten Schicht gebildet ist.

公开(公告)号：IT201900019980A1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：IT201900019980

申请日：2019-10-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  TRINGALI CRISTINA

IPC: H01L20060101

公开(公告)号：IT201800010195A1

公开(公告)日：2020-05-09

申请号：IT201800010195

申请日：2018-11-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： SMERZI SANTO ALESSANDRO ,  NICOTRA MARIA CONCETTA ,  IUCOLANO FERDINANDO