公开(公告)号：FR3089679A1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：FR1872694

申请日：2018-12-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ARNAUD AURELIE

IPC: H01L27/02

Abstract: Dispositif de commutation et procédé de fabrication d'un tel dispositif La présente description concerne un dispositif de commutation (1) comprenant une première couche de silicium dopé au phosphore (103) sur et en contact avec une deuxième couche de silicium dopé à l'arsenic (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3106237B1

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：FR2000159

申请日：2020-01-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ARNAUD AURELIE ,  LEBRETTE SEVERINE

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Protection ESD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier empilement (11), formant une diode Transil (TD), comportant un substrat (13) d'un premier type de conductivité dans lequel est située une première zone (15) d'un deuxième type de conductivité, la première zone (15) affleurant une face du substrat (13) ; un deuxième empilement (17), formant une diode (D), situé sur et en contact avec ladite face du substrat (13) et comportant une première couche (19) du deuxième type de conductivité dans laquelle est située une deuxième zone (21) du premier type de conductivité, la deuxième zone (21) affleurant, à l'opposé du premier empilement (17), la surface de la première couche (19) ; et un troisième empilement (23) comportant au moins une deuxième couche (25) en un matériau dopé en oxygène, sur et en contact avec le deuxième empilement (17). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3106237A1

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：FR2000159

申请日：2020-01-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ARNAUD AURELIE ,  LEBRETTE SEVERINE

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Protection ESD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier empilement (11), formant une diode Transil (TD), comportant un substrat (13) d'un premier type de conductivité dans lequel est située une première zone (15) d'un deuxième type de conductivité, la première zone (15) affleurant une face du substrat (13) ; un deuxième empilement (17), formant une diode (D), situé sur et en contact avec ladite face du substrat (13) et comportant une première couche (19) du deuxième type de conductivité dans laquelle est située une deuxième zone (21) du premier type de conductivité, la deuxième zone (21) affleurant, à l'opposé du premier empilement (17), la surface de la première couche (19) ; et un troisième empilement (23) comportant au moins une deuxième couche (25) en un matériau dopé en oxygène, sur et en contact avec le deuxième empilement (17). Figure pour l'abrégé : Fig. 1