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公开(公告)号:FR2983349B1
公开(公告)日:2013-12-13
申请号:FR1160816
申请日:2011-11-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS , UNIV RABELAIS FRANCOIS
Inventor: NGO SOPHIE , FLORENCE ARNAUD , ALQUIER DANIEL , JEANNE EDGARD
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公开(公告)号:FR3004019A1
公开(公告)日:2014-10-03
申请号:FR1352864
申请日:2013-03-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: HEURTIER JEROME , BOUGRINE GUILLAUME , FLORENCE ARNAUD
IPC: H02H9/04
Abstract: L'invention concerne un composant de protection contre des surtensions adapté à la protection d'une ligne d'alimentation comprenant en parallèle une diode à retournement (D), un commutateur commandé (SW), et un circuit de commande (CONTROL) du commutateur.
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公开(公告)号:FR2983349A1
公开(公告)日:2013-05-31
申请号:FR1160816
申请日:2011-11-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS , UNIV RABELAIS FRANCOIS
Inventor: NGO SOPHIE , FLORENCE ARNAUD , ALQUIER DANIEL , JEANNE EDGARD
Abstract: L'invention concerne un dispositif de transmission d'une information à isolation galvanique, comprenant des moyens de codage (80) de ladite information dans un signal multifréquence (f , f ) ; un premier réseau de transducteurs ultrasonores (E) à membrane vibrante, formé sur une première face d'une plaquette, adapté à convertir ledit signal en un signal acoustique multifréquence se propageant dans ladite plaquette ; et un deuxième réseau de transducteurs ultrasonores (R) formé sur une deuxième face de ladite plaquette, le deuxième réseau comprenant au moins deux ensembles de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante dont les fréquences de résonance sont égales à deux fréquences distinctes (f , f ) du signal multifréquence.
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公开(公告)号:FR3049766B1
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:FR1652712
申请日:2016-03-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ROUVIERE MATHIEU , FLORENCE ARNAUD
IPC: H01L27/02
Abstract: L'invention concerne un dispositif (210) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : des première (211) et deuxième (212) diodes montées en série entre des première (N1) et deuxième (N2) bornes de connexion du dispositif ; une troisième borne (N3) de connexion reliée au point milieu entre les première (211) et deuxième (212) diodes ; et un condensateur (213) monté en parallèle des première (211) et deuxième (212) diodes, entre les première (N1) et deuxième (N2) bornes.
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