公开(公告)号：FR2963983B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：FR1056648

申请日：2010-08-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MORILLON BENJAMIN

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L27/08 ,  H01L29/861

公开(公告)号：FR2963983A1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：FR1056648

申请日：2010-08-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MORILLON BENJAMIN

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L27/08 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne un composant de protection bidirectionnel dissymétrique formé dans un substrat semiconducteur (31) d'un premier type de conductivité, comprenant : une première zone (32) implantée du premier type de conductivité ; une première couche épitaxiée (33a) du deuxième type de conductivité sur le substrat et la première zone implantée ; une seconde couche épitaxiée (33b) du deuxième type de conductivité sur la première couche épitaxiée (33a) la seconde couche ayant un niveau de dopage distinct de celui de la première couche ; une deuxième zone (34) du premier type de conductivité sur la face extérieure de la couche épitaxiée, en regard de la première zone (32) ; une première métallisation (36) recouvrant toute la face inférieure du substrat ; et une deuxième métallisation (35) recouvrant la deuxième zone.

公开(公告)号：FR2960097A1

公开(公告)日：2011-11-18

申请号：FR1053680

申请日：2010-05-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MORILLON BENJAMIN

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L29/06

Abstract: L'invention concerne un composant de protection bidirectionnel formé dans un substrat semiconducteur (21) d'un premier type de conductivité comprenant une première zone (22) implantée du premier type de conductivité, une couche épitaxiée (23) du deuxième type de conductivité sur le substrat et la première zone implantée, une deuxième zone (24) du premier type de conductivité sur la face extérieure de la couche épitaxiée, en regard de la première zone, et implantée selon la même dose que la première zone, une première métallisation (26) recouvrant toute la face inférieure du substrat, et une deuxième métallisation (25) recouvrant la deuxième zone.

公开(公告)号：FR2953062A1

公开(公告)日：2011-05-27

申请号：FR0958323

申请日：2009-11-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MORILLON BENJAMIN

IPC: H01L21/328 ,  H01L21/22 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne une diode de protection bi-directionnelle verticale comprenant, sur un substrat (1) fortement dopé d'un premier type de conductivité, des première (3), deuxième (4) et troisième (5) régions des premier, deuxième et premier types de conductivité, ces régions ayant toutes un niveau de dopage supérieur à 2 à 5x1019 atomes par cm3 et étant délimitées latéralement par une tranchée isolée (7), chacune des ces régions ayant une épaisseur inférieure à 4 µm.

公开(公告)号：FR2953062B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR0958323

申请日：2009-11-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MORILLON BENJAMIN

IPC: H01L21/328 ,  H01L21/22 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861