公开(公告)号：FR3066336B1

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：FR1754146

申请日：2017-05-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： PROOT JEAN-PIERRE ,  PAILLET PASCAL

IPC: H03H7/38 ,  H02J50/12

Abstract: L'invention concerne un procédé d'adaptation d'impédance d'un circuit résonnant comportant au moins un élément inductif, au moins un premier élément capacitif en série avec l'élément inductif et au moins un deuxième élément capacitif en parallèle avec l'élément inductif, comportant les étapes de : comparer (33) une première information représentative des pertes (LOSS) dans l'élément inductif à un premier seuil (TH1) ; comparer (35) une deuxième information (V) représentative de la tension aux borne du circuit résonant à un deuxième seuil (TH2) ; et si la première information est inférieure au premier seuil et la deuxième information est inférieure au deuxième seuil, diminuer la valeur du premier élément capacitif et augmenter la valeur du deuxième élément capacitif.

公开(公告)号：FR3066336A1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1754146

申请日：2017-05-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： PROOT JEAN-PIERRE ,  PAILLET PASCAL

IPC: H03H7/38 ,  H02J50/12

Abstract: L'invention concerne un procédé d'adaptation d'impédance d'un circuit résonnant comportant au moins un élément inductif, au moins un premier élément capacitif en série avec l'élément inductif et au moins un deuxième élément capacitif en parallèle avec l'élément inductif, comportant les étapes de : comparer (33) une première information représentative des pertes (LOSS) dans l'élément inductif à un premier seuil (TH1) ; comparer (35) une deuxième information (V) représentative de la tension aux borne du circuit résonant à un deuxième seuil (TH2) ; et si la première information est inférieure au premier seuil et la deuxième information est inférieure au deuxième seuil, diminuer la valeur du premier élément capacitif et augmenter la valeur du deuxième élément capacitif.