公开(公告)号：FR3118356A1

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：FR2013664

申请日：2020-12-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  RENARD BENOIT ,  LAUNOIS ROMAIN

IPC: H02M7/02 ,  H02M7/162

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur de tension comportant un circuit (401A) comprenant une association en parallèle, entre des premier (305) et deuxième (307) nœuds, d’une première branche comportant un premier élément (309) de redressement commandé présentant une première impédance et d’une deuxième branche comportant une résistance (303) associée en série avec un ou plusieurs deuxièmes éléments (403) de redressement présentant une deuxième impédance sensiblement égale à la première impédance. Figure pour l'abrégé : Fig. 4A

公开(公告)号：FR3118356B1

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：FR2013664

申请日：2020-12-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  RENARD BENOIT ,  LAUNOIS ROMAIN

IPC: H02M7/02 ,  H02M7/162

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur de tension comportant un circuit (401A) comprenant une association en parallèle, entre des premier (305) et deuxième (307) nœuds, d’une première branche comportant un premier élément (309) de redressement commandé présentant une première impédance et d’une deuxième branche comportant une résistance (303) associée en série avec un ou plusieurs deuxièmes éléments (403) de redressement présentant une deuxième impédance sensiblement égale à la première impédance. Figure pour l'abrégé : Fig. 4A

公开(公告)号：FR2982721B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：FR1160367

申请日：2011-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： RENARD BENOIT ,  GONTHIER LAURENT

IPC: H03K17/567 ,  H02M1/08

公开(公告)号：FR2982721A1

公开(公告)日：2013-05-17

申请号：FR1160367

申请日：2011-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： RENARD BENOIT ,  GONTHIER LAURENT

IPC: H03K17/567 ,  H02M1/08

Abstract: L'invention concerne un circuit de commande en variation de puissance d'une charge alimentée par une tension alternative (V ), comprenant : un premier thyristor (T1) et une première diode (D1) en antiparallèle entre des premier (A) et deuxième (R) noeuds, la cathode de la première diode (D1) étant côté premier noeud (A) ; un second thyristor (T2) et une deuxième diode (D2) en antiparallèle entre le deuxième noeud (R) et un troisième noeud (B), la cathode de la deuxième diode (D2) étant côté troisième noeud (B) ; des troisième (D3) et quatrième (D4) diodes en antisérie entre les premier (A) et troisième (B) noeuds, les cathodes des troisième (D3) et quatrième (D4) diodes étant reliées à un quatrième noeud (J) ; un transistor (M1) entre les deuxième (R) et quatrième (J) noeuds ; et une unité de commande (MCU) des premier (T1) et second (T2) thyristors et du transistor (M1).