公开(公告)号：EP1816689A1

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：EP07101675.2

申请日：2007-02-02

Applicant: ST Microelectronics Crolles 2 SAS

Inventor： Skotnicki,, Thomas ,  Monfray, Stéphane

IPC: H01L49/00 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/7613

Abstract: L'invention concerne un dispositif microélectronique doté d'au moins un transistor ou triode, à modulation de courant tunnel de type Fowler-Nordheim reposant sur un substrat (101-100), la triode ou le transistor comprenant:
- au moins un premier bloc (110) destiné à jouer le rôle de cathode et au moins un deuxième bloc (112) destiné à jouer le rôle d'anode, le premier bloc et le deuxième bloc reposant sur le substrat et étant séparés par une zone isolante (115) de canal reposant sur le substrat,
- au moins une zone (118) de diélectrique de grille, reposant au moins sur ladite zone isolante (115) de canal, et au moins une grille (120) reposant sur ladite zone (118) de diélectrique de grille. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel dispositif.

Abstract translation: 该器件具有隧道效应晶体管或三极管，其包括由沟道绝缘区（115）分开的阳极块（110）和阴极块（112）。 块和绝缘区位于衬底上，其中块包括具有不同材料的两层堆叠。 栅极介电区（118）位于绝缘区上，其中栅极（120）位于介电区上。 绝缘区的临界尺寸为1-10nm。 还包括用于生产微电子器件的独立权利要求。