公开(公告)号：CN106255551A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201480074150.5

申请日：2014-11-26

Applicant: STC.UNM ,  公司

Inventor： S.R.J.布吕克 ,  J.S.爱德华兹 ,  A.诺伊曼 ,  Y.库斯内特索瓦 ,  E.A.门多扎

IPC: B01L7/00 ,  C12M1/34 ,  C12Q1/68

CPC classification number: G01N33/48721 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/046 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/087 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2300/16 ,  B01L2300/168 ,  B01L2400/0421 ,  C12Q1/6869 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  G01N21/65 ,  G01N2021/653 ,  G01N2201/061 ,  C12Q2563/155 ,  C12Q2565/631

Abstract: 用于长阅读、无标记、光学纳米孔长链分子测序的方法和设备。总体来说，本公开描述新颖测序技术，其基于并入纳米通道以使用宽间隔(>波长)、～1-nm孔径“曲折”纳米孔来递送单一长链分子，所述纳米孔充分地减缓易位以便使用光学技术来提供大规模并行、单一碱基解析。使用简单胶状纳米颗粒的新颖、定向自组装纳米制造方案用于在纳米通道顶上形成纳米孔阵列，从而使长链分子展开。在纳米颗粒阵列的表面，工程化等离子/极化声子结构中的强烈局部电磁场允许使用光学技术来进行单一碱基解析。

公开(公告)号：CN106255551B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201480074150.5

申请日：2014-11-26

Applicant: STC.UNM 公司

Inventor： S.R.J.布吕克 ,  J.S.爱德华兹 ,  A.诺伊曼 ,  Y.库斯内特索瓦 ,  E.A.门多扎

IPC: B01L3/00 ,  C12M1/34 ,  C12Q1/6869 ,  G01N21/64

Abstract: 用于长阅读、无标记、光学纳米孔长链分子测序的方法和设备。总体来说，本公开描述新颖测序技术，其基于并入纳米通道以使用宽间隔(>波长)、～1‑nm孔径“曲折”纳米孔来递送单一长链分子，所述纳米孔充分地减缓易位以便使用光学技术来提供大规模并行、单一碱基解析。使用简单胶状纳米颗粒的新颖、定向自组装纳米制造方案用于在纳米通道顶上形成纳米孔阵列，从而使长链分子展开。在纳米颗粒阵列的表面，工程化等离子/极化声子结构中的强烈局部电磁场允许使用光学技术来进行单一碱基解析。

公开(公告)号：CN106941779A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201580042874.6

申请日：2015-06-09

Applicant: STC.UNM 公司

Inventor： S.R.J.布吕克 ,  A.诺伊曼 ,  P.扎克什-哈

IPC: G01J1/06 ,  G01J3/02

CPC classification number: G01J1/06 ,  G01J1/44 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/18 ,  G01J3/1895 ,  G01J3/2803 ,  G01J2001/448 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12138 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/103

Abstract: 一种2D传感器阵列包括半导体衬底和布置在半导体衬底上的多个像素。每一个像素包括耦合区和结区，以及平板波导结构，所述平板波导结构布置在半导体衬底上并且从耦合区延伸到区。平板波导包括布置在第一包覆层与第二包覆层之间的限制层。第一包覆和第二包覆每一个具有比限制层的折射率低的折射率。每一个像素还包括布置在耦合区中和平板波导内的耦合结构。耦合结构包括具有不同折射率的至少两种材料，其布置为由光栅周期限定的光栅。结区包括与电接触件连通的p‑n结以用于偏置和收集由入射辐射的吸收引起的载流子。