公开(公告)号：FR3053479A1

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：FR1656188

申请日：2016-06-30

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/24

Abstract: Le dispositif intégré photonique comporte au moins un premier guide d'ondes (G1) et un deuxième guide d'ondes (G2), les deux guides d'ondes étant mutuellement couplés par une région de jonction (JCN) comprenant un renflement (R).

公开(公告)号：FR3040499B1

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：FR1557883

申请日：2015-08-24

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES

IPC: G02B6/122 ,  H01S3/063

公开(公告)号：FR3041115A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558668

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (41) comportant, sur un support isolant (37), une bande de silicium monocristallin (33) et une bande de silicium polycristallin (35) de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 51) couplée à un contact électrique (49, 53).

公开(公告)号：FR3040499A1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：FR1557883

申请日：2015-08-24

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES

IPC: G02B6/122 ,  H01S3/063

Abstract: Le circuit intégré (IC) comprend dans un substrat (F) semiconducteur, un dispositif actif (DA) de confinement d'un flux lumineux comportant une nervure de confinement (NC) séparée de deux zones dopées (ZD) par deux tranchées (T), chaque zone dopée (ZD) comportant une zone de prise de contact (PC) sur une face supérieure (FS) de cette zone dopée (ZD). Chaque tranchée (T) s'évase depuis sa paroi de fond (PF) vers la face supérieure (FS) de la zone dopée (ZD) correspondante.

公开(公告)号：FR3051561A1

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：FR1654523

申请日：2016-05-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BAUDOT CHARLES

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/122 ,  G02B6/24

Abstract: Structure intégrée photonique tridimensionnelle comprenant un premier substrat semi-conducteur (22) incorporant au moins un premier guide d'ondes (24), un deuxième substrat semi-conducteur (32) incorporant au moins un deuxième guide d'ondes (34), et au moins une région intermédiaire (INT) située entre les deux substrats et comportant au moins une couche diélectrique (23), le deuxième substrat (3) comportant au moins un coupleur optique (36) configuré pour recevoir un signal lumineux (L1), et le premier substrat (2) et ladite au moins une couche diélectrique (23) comportant un élément réflecteur (26) situé en dessous et en regard dudit au moins un coupleur à réseau (36) et apte à réfléchir au moins une partie dudit signal lumineux (L1).

公开(公告)号：FR3041116B1

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：FR1558669

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

公开(公告)号：FR3041116A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558669

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (33) comportant une bande de silicium monocristallin (35) dopé d'un premier type de conductivité reposant sur un support isolant (37) et surmontée d'une bande de silicium polycristallin (41) dopé du deuxième type de conductivité, lesdites bandes étant séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 53) comprenant une première portion (49, 55) dont la face supérieure est au niveau de la face supérieure de la bande de silicium polycristallin et est revêtue d'un contact électrique (61, 63), et une deuxième portion (51, 57) s'étendant de la bande à la première portion, la deuxième portion de l'extension de la bande de silicium monocristallin étant moins épaisse que la bande de silicium monocristallin.