公开(公告)号：FR3043852B1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：FR1560911

申请日：2015-11-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/187

公开(公告)号：FR3041115A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558668

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (41) comportant, sur un support isolant (37), une bande de silicium monocristallin (33) et une bande de silicium polycristallin (35) de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 51) couplée à un contact électrique (49, 53).

公开(公告)号：FR3041116B1

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：FR1558669

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

公开(公告)号：FR3043852A1

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：FR1560911

申请日：2015-11-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/187

Abstract: L'invention concerne un dispositif laser (1) disposé dans et/ou sur silicium et à hétéro structure III-V comprenant - un milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, et - un guide d'onde optique en arête (11), disposé en regard du milieu amplificateur (3) et comprenant un guide d'onde en ruban (15) doté d'une arête longitudinale (17), le guide d'onde optique en arête (11) étant disposé dans du silicium, - deux réseaux de Bragg échantillonnés (RBE-A, RBE-B) formés dans le guide d'onde optique en arête (11) et disposés de part et d'autre par rapport au milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, chaque réseau de Bragg échantillonné (RBE-A, RBE-B) comprenant un premier réseau de Bragg (RB1-A, RB1B) présentant un premier pas et formé dans l'arête (17) ainsi qu'un second réseau de Bragg (RB2-A, RB2-B) présentant un second pas différent du premier pas et formé sur la face (21) du guide d'onde en ruban (15) opposée à l'arête (17).

公开(公告)号：FR3025056B1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：FR1457937

申请日：2014-08-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/026

公开(公告)号：FR3041116A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558669

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (33) comportant une bande de silicium monocristallin (35) dopé d'un premier type de conductivité reposant sur un support isolant (37) et surmontée d'une bande de silicium polycristallin (41) dopé du deuxième type de conductivité, lesdites bandes étant séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 53) comprenant une première portion (49, 55) dont la face supérieure est au niveau de la face supérieure de la bande de silicium polycristallin et est revêtue d'un contact électrique (61, 63), et une deuxième portion (51, 57) s'étendant de la bande à la première portion, la deuxième portion de l'extension de la bande de silicium monocristallin étant moins épaisse que la bande de silicium monocristallin.