公开(公告)号：FR3050318A1

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：FR1653451

申请日：2016-04-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  ESCALES JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/482

Abstract: Utilisation d'un empilement comportant une double passivation (CPSI, CPSS) et localement gravé de façon à découvrir des plots de contact (PLCT) d'un circuit intégré situés au dessus du dernier niveau de métallisation d'une partie d'interconnexion du circuit intégré, pour protéger ledit circuit intégré contre un claquage d'au moins une région diélectrique au moins en partie poreuse séparant deux éléments électriquement conducteurs de la partie d'interconnexion du circuit intégré, claquage provoqué par une conduction électrique assistée par la présence de défauts au sein de ladite au moins une région diélectrique.

公开(公告)号：FR3042067A1

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：FR1559337

申请日：2015-10-01

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  ESCALES JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/762 ,  H01L23/482

Abstract: Utilisation d'au moins une barrière diélectrique non poreuse (90, 91) insérée entre une partie poreuse (800) d'au moins une région diélectrique et l'un au moins de deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4) d'une partie d'interconnexion d'un circuit intégré, pour protéger ledit circuit intégré contre un claquage de ladite au moins une région diélectrique provoqué par une conduction électrique assistée par la présence de défauts au sein de ladite au moins une région diélectrique.