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    Method of producing electrical energy in integrated circuit during operation of the latter, corresponding integrated circuit, and method of fabricating the integrated circuit
    1.
    发明专利
    Method of producing electrical energy in integrated circuit during operation of the latter, corresponding integrated circuit, and method of fabricating the integrated circuit 审中-公开
    在整合电路运行期间在整合电路中生产电能的方法，相应的集成电路以及制造集成电路的方法

    公开(公告)号：JP2011029606A

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：JP2010127920

    申请日：2010-06-03

    Applicant: Stmicroelectronics (Rousset) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス(ルッセ)エスエーエスStmicroelectronics(Rousset)Sas

    Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01L35/30 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/28 ,  H02N11/00

    CPC classification number: H01L35/30 ,  H01L27/16 ,  H01L35/00 ,  H01L37/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit including a means which includes producing at least one temperature gradient in at least one region of an integrated circuit resulting from a flow of an electric current in at least a part of the integrated circuit during operation of the integrated circuit, and producing electrical energy through that temperature gradient. SOLUTION: The integrated circuit includes: at least one region RG containing at least one thermoelectric material MTH, which is configured to be subjected to at least one temperature gradient produced by a flow of an electric current in at least parts PSTA, PSTB of the integrated circuit during operation of the integrated circuit; and an electric conduction outputting means connected to that region RG, which transfers electric energy produced from the thermoelectric material MTH. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种集成电路，其包括在至少一部分集成电路中产生由集成电路的至少一个区域中产生至少一个温度梯度的装置， 在集成电路运行期间，通过该温度梯度产生电能。 集成电路包括：至少一个包含至少一个热电材料MTH的区域RG，其被配置为经受至少一部分PSTA，PSTB中的电流流产生的至少一个温度梯度 的集成电路运行期间的集成电路; 以及连接到该区域RG的导电输出装置，该区域传送从热电材料MTH产生的电能。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    PROCEDE DE REALISATION D'UN TRANSISTOR HAUTE TENSION A ENCOMBREMENT REDUIT, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT
    8.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN TRANSISTOR HAUTE TENSION A ENCOMBREMENT REDUIT, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3038774A1

    公开(公告)日：2017-01-13

    申请号：FR1556470

    申请日：2015-07-08

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： DELALLEAU JULIEN ,  RIVERO CHRISTIAN

    IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

    Abstract: Le circuit intégré (IC) comprend un substrat (S) et au moins un transistor MOS (TGE) comportant une région de grille (RG) enterrée dans une tranchée (T) du substrat (S), débouchant sur une face supérieure (FS) du substrat (S), et entourée par une région diélectrique (RDI) tapissant les parois internes de la tranchée (T), une région de source (RS) et une région de drain (RD) situées respectivement dans le substrat (S) de part et d'autre de la tranchée (T) au voisinage de ladite face supérieure (FS), ladite région diélectrique (RDI) possédant une zone diélectrique supérieure (ZDS) située au moins partiellement entre une partie supérieure (PS) de la région de grille (RG) et les régions de source (RS) et de drain (RD), et une zone diélectrique inférieure (ZDI) moins épaisse que la zone diélectrique supérieure (ZDS) et située entre une partie inférieure (PI) de la région de grille (RG) et le substrat (S).

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