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    Method of producing electrical energy in integrated circuit during operation of the latter, corresponding integrated circuit, and method of fabricating the integrated circuit
    1.
    发明专利
    Method of producing electrical energy in integrated circuit during operation of the latter, corresponding integrated circuit, and method of fabricating the integrated circuit 审中-公开
    在整合电路运行期间在整合电路中生产电能的方法，相应的集成电路以及制造集成电路的方法

    公开(公告)号：JP2011029606A

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：JP2010127920

    申请日：2010-06-03

    Applicant: Stmicroelectronics (Rousset) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス(ルッセ)エスエーエスStmicroelectronics(Rousset)Sas

    Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01L35/30 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/28 ,  H02N11/00

    CPC classification number: H01L35/30 ,  H01L27/16 ,  H01L35/00 ,  H01L37/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit including a means which includes producing at least one temperature gradient in at least one region of an integrated circuit resulting from a flow of an electric current in at least a part of the integrated circuit during operation of the integrated circuit, and producing electrical energy through that temperature gradient. SOLUTION: The integrated circuit includes: at least one region RG containing at least one thermoelectric material MTH, which is configured to be subjected to at least one temperature gradient produced by a flow of an electric current in at least parts PSTA, PSTB of the integrated circuit during operation of the integrated circuit; and an electric conduction outputting means connected to that region RG, which transfers electric energy produced from the thermoelectric material MTH. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种集成电路，其包括在至少一部分集成电路中产生由集成电路的至少一个区域中产生至少一个温度梯度的装置， 在集成电路运行期间，通过该温度梯度产生电能。 集成电路包括：至少一个包含至少一个热电材料MTH的区域RG，其被配置为经受至少一部分PSTA，PSTB中的电流流产生的至少一个温度梯度 的集成电路运行期间的集成电路; 以及连接到该区域RG的导电输出装置，该区域传送从热电材料MTH产生的电能。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Method for detecting attack by fault injection on memory device, and corresponding memory device
    3.
    发明专利
    Method for detecting attack by fault injection on memory device, and corresponding memory device 审中-公开
    用于通过存储器件的故障注入检测攻击的方法和相应的存储器件

    公开(公告)号：JP2011003189A

    公开(公告)日：2011-01-06

    申请号：JP2010134405

    申请日：2010-06-11

    Applicant: Stmicroelectronics (Rousset) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス(ルッセ)エスエーエスStmicroelectronics(Rousset)Sas

    Inventor： LISART MATHIEU ,  MERCIER JULIEN

    IPC: G06F12/16

    CPC classification number: G06F11/1032 ,  G11C7/24

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To detect an attack by fault injection on a memory device.SOLUTION: A memory device includes a fault injection attack detection means including a group of memory planes (PM) each storing a block (BL) having data bits and m-parity bits, and a means (ML) for reading each bit of the block, and a verification means for performing a parity check based on the read value of each data bit and the read value of each parity bit at the time of reading the block. The memory plane (PM) includes reference memory cells disposed between the memory cells of the group to form separate packets (PQ) of m-memory cells. Each reference memory cell stores a reference bit changed with a reference value during the fault injection attack. Each packet of m-memory cells stores m-bits of the block associated with different parities.

    Abstract translation: 要解决的问题：检测存储设备上的故障注入的攻击。解决方案：存储设备包括故障注入攻击检测装置，其包括一组存储器平面（PM），每个存储器平面（PM）存储具有数据位和m 极性位和用于读取块的每个位的装置（ML），以及用于基于每个数据位的读取值和读取时的每个奇偶校验位的读取值执行奇偶校验的校验装置 块。 存储器平面（PM）包括设置在组的存储器单元之间的参考存储单元，以形成m个存储单元的单独分组（PQ）。 每个参考存储单元存储在故障注入攻击期间用参考值改变的参考位。 m个存储器单元的每个分组存储与不同奇偶校验相关联的块的m位。

    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE
    4.
    发明申请
    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE 审中-公开
    具有锁定状态的集成机械电气开关装置

    公开(公告)号：WO2013083385A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/EP2012/072875

    申请日：2012-11-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： DI-GIACOMO, Antonio ,  RIVERO, Christian ,  FORNARA, Pascal

    IPC: H01H61/00

    CPC classification number: H01H1/0036 ,  H01H61/00 ,  H01H2001/0068 ,  H01H2037/008 ,  H01H2061/006 ,  H01H2061/008

    Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Il comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) au moins un premier ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre(PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même premier niveau de métallisation, et un corps électriquement conducteur (CPS), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit corps(CPS) dans l'une des configurations et en contact avec ledit corps et immobilisée par ledit corps (CPS) dans l'autre configuration de façon à pouvoir établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit corps et par ladite poutre, ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre.

    Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，该集成电路在衬底的顶部上包​​括由绝缘区分开的多个金属化层的部分（RITX）。 集成电路还包括在所述部分内部的机械电气切换装置（CMT），其包括在凹部（LG）中的至少第一热变形组件（ENS1），所述第一热变形组件包括在至少两个不同的 位置由刚性地连接到凹部的边缘（BDA，BDB）的至少两个臂（BR1A，BR1B），梁和臂由金属制成并且位于单个第一金属化层内，并且导电体（CPS ），其中当所述臂中的至少一个处于不同于所述第一温度的第二温度时，所述第一组件（ENS1）具有至少第一构型处于第一温度和第二构型，并且其中所述梁（PTR） 与主体（CPS）以一种构造间隔开并与身体接触并且通过所述主体（CPS）固定在另一构造中，以便建立或防止经由所述主体和所述梁的电连接， 其中所述第一个 组装可以被致动以便从一个配置移动到另一个配置。

    PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT
    5.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT 审中-公开
    在一体化三维结构中产生功率的方法和相应的连接装置

    公开(公告)号：WO2013007593A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：PCT/EP2012/063129

    申请日：2012-07-05

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  FORNARA, Pascal ,  RIVERO, Christian

    Inventor： FORNARA, Pascal ,  RIVERO, Christian

    IPC: H01L27/16 ,  H01L35/32 ,  H01L23/38

    CPC classification number: H01L27/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/325 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

    Abstract: Procédé de génération d' énergie électrique au sein d'une structure intégrée tridimensionnelle comprenant plusieurs éléments électriquement interconnectés par un dispositif de liaison, le procédé comprenant une production d 'un gradient de température (GDT) dans au moins une région du dispositif de liaison résultant du fonctionnement d' au moins un desdits éléments (CI1, CI2), et une production d' énergie électrique à partir d' au moins un générateur thermoélectrique (GEN) comportant au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle et contenus dans ladite région soumise audit gradient de température.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在通过连接装置电互连的多个元件的集成三维结构内产生功率的方法，所述方法包括在所述连接装置的至少一个区域中产生温度梯度（GDT​​），所述生产 由操作至少一个所述元件（CI1，CI2）和从至少一个热电发电机（GEN）产生功率，其包括串联电连接并联并且包含在 所述区域经受所述温度梯度。

    RÉCUPÉRATION D'ÉNERGIE PAR UN TRANSPONDEUR ÉLECTROMAGNÉTIQUE
    6.
    发明申请
    RÉCUPÉRATION D'ÉNERGIE PAR UN TRANSPONDEUR ÉLECTROMAGNÉTIQUE 审中-公开
    电磁传感器的能源回收

    公开(公告)号：WO2010146277A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：PCT/FR2010/051090

    申请日：2010-06-03

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  WUIDART, Luc

    Inventor： WUIDART, Luc

    IPC: G06K19/07

    CPC classification number: G06K19/0723 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0702 ,  G06K19/0715 ,  G06K19/0726

    Abstract: L'invention concerne un procédé de récupération d'énergie par un transpondeur électromagnétique dans le champ d'un terminal, dans lequel : un rapport (r) entre le facteur de couplage courant du transpondeur avec le terminal et une position de couplage optimum (k opt]R20 ) avec une valeur (R20) de charge résistive est évalué (65); et un désaccord du circuit oscillant est provoqué si le rapport est supérieur à un premier seuil supérieur ou égal à l'unité.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在终端领域中的电磁应答器进行能量回收的方法，其中：应答器与终端的当前耦合系数与最佳耦合位置（kopt] R20之间的关系（r））与 评估电阻负载值（R20）（65）; 并且如果关系高于第一上限阈值或等于该单位，则引起振荡电路的不一致。

    CIRCUIT INTÉGRÉ ÉQUIPÉ D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE SON ORIENTATION SPATIALE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE CETTE ORIENTATION
    9.
    发明申请
    CIRCUIT INTÉGRÉ ÉQUIPÉ D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE SON ORIENTATION SPATIALE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE CETTE ORIENTATION 审中-公开
    提供的集成电路用于检测其空间方向和/或更改方向的设备

    公开(公告)号：WO2013149685A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：PCT/EP2012/072874

    申请日：2012-11-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： DI-GIACOMO, Antonio ,  FORNARA, Pascal

    IPC: G01P13/00 ,  G01P15/135 ,  H01H35/14 ,  G01C9/10 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00174 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0771 ,  G01C9/12 ,  G01P13/00 ,  G01P15/135

    Abstract: Le circuit intégré comprend au sein de ladite partie d'interconnexion «BEOL» (RITX), au moins un dispositif mécanique (DIS) de détection d'orientation spatiale et/ou de changement d'orientation du circuit intégré comprenant un logement (CV) dont les parois comportent des portions métalliques réalisées au sein de différents niveaux de métallisation, une pièce métallique (1) logée dans ledit logement et mobile à l'intérieur du logement, des moyens de contrôle (PLR) définissant à l'intérieur du logement une zone d'évolution (ZV) pour la pièce métallique et comportant au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) disposés en bordure de ladite zone d'évolution, ladite pièce (1) étant configurée pour, sous l'action de la gravité, venir en contact avec lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) en réponse à au moins une orientation spatiale donnée du circuit intégré, et des moyens (MDT) de détection d'une liaison électrique passant par ladite pièce et lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs.

    Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，其包括在BEOL（RITX）互连部分中的至少一个机械装置（DIS），用于检测集成装置的空间取向和/或取向的变化，包括壳体（CV） 其壁具有形成在不同金属化水平的金属部分，设置在所述壳体中并能够在其中移动的金属部分（1），限定用于壳体内的金属部分的移动范围（ZV）的控制装置（PLR），以及 包括设置在所述移动范围的边缘处的至少两个导电构件（PLR），所述部分（11）被设计成响应于至少一个接触重力而接触所述至少两个导电构件（PLR） 给定集成电路的空间取向，以及用于检测通过所述部分和所述至少两个导电构件的电连接的装置（MDT）。

    SÉCURISATION D'UNE COMMUNICATION PAR UN TRANSPONDEUR ÉLECTROMAGNÉTIQUE
    10.
    发明申请
    SÉCURISATION D'UNE COMMUNICATION PAR UN TRANSPONDEUR ÉLECTROMAGNÉTIQUE 审中-公开
    通过电磁传感器制造通信安全

    公开(公告)号：WO2012164181A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：PCT/FR2012/050845

    申请日：2012-04-18

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  WUIDART, Luc

    Inventor： WUIDART, Luc

    IPC: G06K19/073

    CPC classification number: H04B5/0068 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07309 ,  G06K19/07318 ,  H04L63/0492

    Abstract: L'invention concerne un procédé de sécurisation d'une communication entre un transpondeur électromagnétique et un terminal, dans lequel l'émission (49) d'un accusé de réception (ATQ) par le transpondeur à une requête captée d'un terminal n'est autorisée que lorsque le transpondeur est en contact mécanique ou en quasi-contact mécanique avec le terminal.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在电磁应答器和终端之间进行通信的方法，其中不允许将应答器的接收确认（ATQ）发送到从终端接收到的请求（49），除非 应答器处于机械接触或准端子机械接触。

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