公开(公告)号：FR2921754A1

公开(公告)日：2009-04-03

申请号：FR0757916

申请日：2007-09-28

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BENSAHEL DANIEL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de silicium (11) s'étendant sur une couche isolante, comprenant les étapes suivantes : former une couche de silicium-germanium sur au moins une portion d'une tranche de silicium (1) ; transformer des parties de la couche de silicium-germanium en plots (9) de silicium poreux ; faire croître une couche de silicium monocristallin (11) sur la couche de silicium-germanium et sur les plots de silicium poreux (9) ; éliminer la couche de silicium-germanium ; oxyder les plots de silicium poreux (9) ; et déposer un matériau isolant sous la couche de silicium (11).

公开(公告)号：FR2921754B1

公开(公告)日：2009-11-27

申请号：FR0757916

申请日：2007-09-28

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BENSAHEL DANIEL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12