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    ASSEMBLAGE DE DEUX PARTIES DE CIRCUIT ELECTRONIQUE INTEGRE
    2.
    发明专利
    ASSEMBLAGE DE DEUX PARTIES DE CIRCUIT ELECTRONIQUE INTEGRE 未知

    公开(公告)号：FR2913145A1

    公开(公告)日：2008-08-29

    申请号：FR0701269

    申请日：2007-02-22

    Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

    Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  COUDRAIN PERCEVAL ,  MAZOYER PASCALE

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

    Abstract: Un procédé d'assemblage de deux parties d'un circuit électronique intégré (1A, 1B) procède en deux étapes successives. Lors d'une première étape, les deux parties de circuit sont rendues solidaires par un collage moléculaire, réalisé sur des faces d'application respectives (SA, SB) des deux parties. Lors d'une seconde étape, des connexions électriques sont formées à partir de portions de connexions (2A, 2B) prévues initialement dans les faces d'application des deux parties de circuit. Les connexions formées traversent l'interface de collage, et sont compatibles avec une solidité et un niveau d'intégration du circuit qui sont élevés.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2913145B1

    公开(公告)日：2009-05-15

    申请号：FR0701269

    申请日：2007-02-22

    Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

    Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  COUDRAIN PERCEVAL ,  MAZOYER PASCALE

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

    Abstract: A process for assembling two parts of an integrated electronic circuit has two successive steps. During a first step, the two circuit parts are made into a single unit by molecular bonding, realized on respective application surfaces of the two parts. During a second step, electrical connections are formed from connection portions already present in the application surfaces of the two circuit parts. The connections formed extend across the bonding interface, and are compatible with a high reliability and a high level of integration of the circuit.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBTRAT SEMICONDUCTEUR LOCALISE SUR UNE COUCHE ISOLANTE
    5.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBTRAT SEMICONDUCTEUR LOCALISE SUR UNE COUCHE ISOLANTE 未知

    公开(公告)号：FR2921754A1

    公开(公告)日：2009-04-03

    申请号：FR0757916

    申请日：2007-09-28

    Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

    Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BENSAHEL DANIEL

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de silicium (11) s'étendant sur une couche isolante, comprenant les étapes suivantes : former une couche de silicium-germanium sur au moins une portion d'une tranche de silicium (1) ; transformer des parties de la couche de silicium-germanium en plots (9) de silicium poreux ; faire croître une couche de silicium monocristallin (11) sur la couche de silicium-germanium et sur les plots de silicium poreux (9) ; éliminer la couche de silicium-germanium ; oxyder les plots de silicium poreux (9) ; et déposer un matériau isolant sous la couche de silicium (11).

    TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE TYPE FINFET ISOLE DU SUBSTRAT
    8.
    发明专利
    TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE TYPE FINFET ISOLE DU SUBSTRAT 未知

    公开(公告)号：FR2918211A1

    公开(公告)日：2009-01-02

    申请号：FR0704568

    申请日：2007-06-26

    Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS ,  IMEC INTER UNI MICRO ELECTR

    Inventor： LENOBLE DAMIEN

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: La réalisation d'un transistor à effet de champ de type finFET (T1) au sein d'un circuit électronique intégré comprend la formation d'une jonction électrique (J1) entre la portion étroite de matériau semiconducteur qui forme le canal (11) du transistor et le substrat du circuit (100). Des particules dopantes sont implantées dans le substrat à travers un masque qui est utilisé ensuite pour former la portion étroite du canal. Le canal du transistor finFET est ainsi isolé électriquement par rapport au substrat du circuit de la même façon que dans les circuits électroniques intégrés MOS qui sont réalisés à partir de substrats de silicium massifs.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2897201B1

    公开(公告)日：2008-04-25

    申请号：FR0600970

    申请日：2006-02-03

    Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

    Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  LENOBLE DAMIEN ,  CERUTTI ROBIN ,  SKOTNICKI THOMAS

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: A planar transistor device includes two independent gates (a first and second gates) along with a semiconductor channel lying between the gates. The semiconductor channel is formed of a first material. The channel includes opposed ends comprising dielectric zone with a channel region positioned between the gates. The dielectric zones comprises an oxide of the first material.

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