公开(公告)号：FR3140498B1

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：FR2209951

申请日：2022-09-30

Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： CISSE DIAWOYE ,  RIVET BERTRAND ,  GAUTIER FREDERIC

IPC: H03K17/16

Abstract: Commande d'un transistor La présente description concerne un procédé de commande d'un transistor MOS à canal N, dans lequel : - lorsque la première tension (VDS4) est inférieure à une troisième tension (VTHON4), une quatrième tension de commande (VGS4) dudit transistor est supérieure à une cinquième tension de seuil dudit transistor ; - lorsque la première tension (VDS4) est supérieure à la deuxième tension (Reg_Vthoff4), la quatrième tension de commande (VGS4) est inférieure à la cinquième tension, dans lequel ladite deuxième tension (Reg_Vthoff4) est égale à : - une première valeur constante (Ref_Vthoff5) entre un premier instant (t51) et un deuxième instant (t52) ; - une deuxième valeur variable, entre le deuxième instant (t52) et un troisième instant (t55), la deuxième valeur étant égale à la somme de la première tension (VDS4) et d'une sixième tension positive, le troisième instant (t55) correspondant à l'instant où la première tension (VDS4) s'inverse. Figure pour l'abrégé : Fig. 5